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中商情報(bào)網(wǎng)訊：日前，有消息透露國(guó)家計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫進(jìn)目前正在制定的“十四五”規(guī)劃中。據(jù)消息，計(jì)劃在2021年-2025年間，在科研、教育、融資、應(yīng)用等方面大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。

半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)過(guò)近六十年的發(fā)展，目前已經(jīng)發(fā)展形成了三代半導(dǎo)體材料，第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵、銻化銦；第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料，其中最為重要的就是SiC和GaN。

和傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，更寬的禁帶寬度允許材料在更高的溫度、更強(qiáng)的電壓與更快的開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行。SiC具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，使得其器件適用于高頻高溫的應(yīng)用場(chǎng)景，相較于硅器件，可以顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。因此，SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網(wǎng)、新能源汽車等行業(yè)。與硅元器件相比，GaN具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，是超高頻器件的極佳選擇，適用于5G通信、微波射頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。

未來(lái)，在利好政策不斷扶持下，隨著第三代半導(dǎo)體材料的成本因生產(chǎn)技術(shù)的不斷提升而下降，其應(yīng)用市場(chǎng)也將迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，給半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。展望“十四五”，我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)有哪些發(fā)展前景呢？

一、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上游自主性提高

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游支撐產(chǎn)業(yè)主要為半導(dǎo)體材料和設(shè)備。從半導(dǎo)體材料來(lái)看，在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、6.1%、4%和3%。

數(shù)據(jù)來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

半導(dǎo)體材料是指電導(dǎo)率介于金屬和絕緣體之間的材料，是制作晶體管、集成電路、光電子器件的重要材料。半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用在晶圓制造和芯片封測(cè)階段。由于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域高端產(chǎn)品技術(shù)壁壘高，而中國(guó)企業(yè)長(zhǎng)期研發(fā)和累計(jì)不足，中國(guó)半導(dǎo)體材料在國(guó)際中處于中低端領(lǐng)域，大部分產(chǎn)品的自給率較低，主要是技術(shù)壁壘較低的封裝材料，而晶圓制造材料主要依靠進(jìn)口。目前，中國(guó)半導(dǎo)體材料企業(yè)集中在6英寸以下的生產(chǎn)線，少量企業(yè)開(kāi)始打入8英寸、12英寸生產(chǎn)線。

資料來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理