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中商情報(bào)網(wǎng)訊：據(jù)悉，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲24日在2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇上透露，雙循環(huán)模式推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化替代。預(yù)計(jì)2020年中國(guó)SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產(chǎn)值約為70億元。其中，SiC、GaN電力電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2020年將達(dá)35.35億元，比去年的29.03億元將增長(zhǎng)21.77%；GaN微波射頻產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2020年將達(dá)33.75億元，比去年的26.15億元將增長(zhǎng)29%。

數(shù)據(jù)來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

在第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈制造以及應(yīng)用環(huán)節(jié)上，SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)等行業(yè)。與硅元器件相比，GaN具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，是超高頻器件的極佳選擇，適用于5G通信、微波射頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。

具體來(lái)看，氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈與碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)無(wú)較大差別，同樣分為襯底、外延片和器件環(huán)節(jié)。盡管碳化硅被更多地作為襯底材料，但國(guó)內(nèi)仍有從事氮化鎵單晶生長(zhǎng)的企業(yè)，主要有蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特和芯元基等；從事氮化鎵外延片的國(guó)內(nèi)廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶湛半導(dǎo)體、江蘇能華、英諾賽科等；從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽微電子、聚燦光電、乾照光電等。

資料來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

中商產(chǎn)業(yè)研究院特整理第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵概念股相關(guān)企業(yè)名單如下：

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