日韩精品三级呦呦|五月丁香蜜臀|99久亚洲精品热|色婷婷五月一区

第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展加速:碳化硅晶片下游應(yīng)用市場預(yù)測分析(圖)
來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院 發(fā)布日期:2021-12-09 13:41
分享:

中商情報網(wǎng)訊:半導(dǎo)體襯底材料包括硅材料和砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體材料。硅是目前技術(shù)最成熟、使用范圍最廣、市場占比最大的襯底材料,近年來隨著材料制備技術(shù)與下游應(yīng)用市場的成熟,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體襯底材料市場規(guī)模持續(xù)擴大。

一、第三代半導(dǎo)體襯底材料概況

第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅、氮化鎵為代表,與前兩代半導(dǎo)體材料相比最大的優(yōu)勢是較寬的禁帶寬度,保證了其可擊穿更高的電場強度,適合制備耐高壓、高頻的功率器件,是電動汽車、5G基站、衛(wèi)星等新興領(lǐng)域的理想材料。

具體對比情況如下圖所示:

資料來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

二、碳化硅晶片產(chǎn)業(yè)鏈

第三代半導(dǎo)體材料中,受技術(shù)與工藝水平限制,氮化鎵材料作為襯底實現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用仍面臨挑戰(zhàn),其應(yīng)用主要是以藍寶石、硅晶片或碳化硅晶片為襯底,通過外延生長氮化鎵以制造氮化鎵器件。相比而言,近年來碳化硅晶片作為襯底材料的應(yīng)用逐步成熟并進入產(chǎn)業(yè)化階段,以碳化硅晶片為襯底的下游產(chǎn)業(yè)鏈圖示如下:

資料來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

以碳化硅晶片為襯底,通常使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法,在晶片上淀積一層單晶形成外延片。其中,在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅外延片,可進一步制成功率器件,應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域;在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延片,可進一步制成微波射頻器件,應(yīng)用于5G通訊、雷達等領(lǐng)域。

如發(fā)現(xiàn)本站文章存在版權(quán)問題,煩請聯(lián)系editor@askci.com我們將及時溝通與處理。
中商情報網(wǎng)
掃一掃,與您一起
發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)的價值
中商產(chǎn)業(yè)研究院
掃一掃,每天閱讀
免費高價值報告
?