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第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展加速:碳化硅晶片下游應(yīng)用市場(chǎng)預(yù)測(cè)分析(圖)
來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院 發(fā)布日期:2021-12-09 13:41
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4.軌道交通

牽引變流器是機(jī)車大功率交流傳動(dòng)系統(tǒng)的核心裝備,將碳化硅器件應(yīng)用于軌道交通牽引變流器,能極大發(fā)揮碳化硅器件高溫、高頻和低損耗特性,提高牽引變流器裝置效率,符合軌道交通大容量、輕量化和節(jié)能型牽引變流裝置的應(yīng)用需求,提升系統(tǒng)的整體效能。

 預(yù)計(jì)2030年全球軌道交通中硅基IGBT器件占比達(dá)70%,混合碳化硅器件占比達(dá)17%,全碳化硅器件占比達(dá)5%,碳化硅分立器件占比達(dá)8%。并預(yù)計(jì)于2050年,全碳化硅器件快速發(fā)展,占比將增至40%。

數(shù)據(jù)來源:CASA、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

5.射頻器件

5G 通訊高頻、高速、高功率的特點(diǎn)對(duì)功率放大器的高頻、高速以及功率性能有更高要求。以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時(shí)具備了碳化硅的高導(dǎo)熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢(shì),突破了砷化鎵和硅基LDMOS 器件的固有缺陷,能夠滿足5G 通訊對(duì)高頻性能和高功率處理能力的要求,碳化硅基氮化鎵射頻器件已逐步成為5G 功率放大器尤其宏基站功率放大器的主流技術(shù)路線。

數(shù)據(jù)來源:Analog Dialogue

隨著全球 5G 通訊技術(shù)的發(fā)展和推廣,5G 基站建設(shè)將為射頻器件帶來新的增長動(dòng)力。據(jù)Yole Development 預(yù)測(cè),2025 年全球射頻器件市場(chǎng)將超過250 億美元,其中射頻功率放大器市場(chǎng)規(guī)模將從2018 年的60 億美元增長到2025 年的104 億美元,而氮化鎵射頻器件在功率放大器中的滲透率將持續(xù)提高。隨著 5G市場(chǎng)對(duì)碳化硅基氮化鎵器件需求的增長,半絕緣型碳化硅晶片的需求量也將大幅增長。

數(shù)據(jù)來源:Yole Development

 更多資料請(qǐng)參考中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《中國碳化硅行業(yè)市場(chǎng)前景及投資機(jī)會(huì)研究報(bào)告》,同時(shí)中商產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)情報(bào)、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、十四五規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資等服務(wù)。

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