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第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展規(guī)劃分析：6英寸晶片將成為主流（圖）

來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布日期：2021-12-09 14:01

碳化硅半導(dǎo)體

中商情報網(wǎng)訊：半導(dǎo)體襯底材料包括硅材料和砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體材料。硅是目前技術(shù)最成熟、使用范圍最廣、市場占比最大的襯底材料，近年來隨著材料制備技術(shù)與下游應(yīng)用市場的成熟，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體襯底材料市場規(guī)模持續(xù)擴大。

市場規(guī)模

碳化硅器件正在廣泛地被應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域中，典型市場包括軌交、功率因數(shù)校正電源、風(fēng)電、光伏、新能源汽車、充電樁、不間斷電源等。2018-2019年，受新能源汽車、工業(yè)電源等應(yīng)用的推動，全球電力電子碳化硅的市場規(guī)模從4.3億美元增長至5.64億美元，中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測未來市場仍將因新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而增長，預(yù)計2021年的市場規(guī)模將達7億美元。

數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

市場競爭格局

從全球碳化硅襯底的企業(yè)經(jīng)營情況來看，以導(dǎo)電性碳化硅晶片廠商市場占有率為參考，美國CREE公司占龍頭地位，市場份額達62％，其次是美國II-VI公司，市場份額約為16％?？傮w來看，在碳化硅市場中，美國廠商占據(jù)主要地位。我國碳化硅晶體、晶片領(lǐng)域的研究從20世紀90年代末開始起步，在行業(yè)發(fā)展初期受到技術(shù)水平和產(chǎn)能規(guī)模的限制，未進入工業(yè)化生產(chǎn)。進入21世紀，以天科合達為代表的國內(nèi)企業(yè)開始探索碳化硅單晶片的工業(yè)化生產(chǎn)，經(jīng)過10余年的持續(xù)研發(fā)與探索，掌握了2-6英寸的碳化硅晶體生長和晶片加工的關(guān)鍵技術(shù)。