中商情報網訊：碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、效率高的優(yōu)勢，可大幅降低產品功耗、提高能量轉換效率并減小產品體積。
近年來從國家到地方相繼制定了一系列產業(yè)政策來推動碳化硅襯底產業(yè)的發(fā)展?！吨腥A人民共和國國民經濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》提出集中電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發(fā)，集中電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破，先進存儲技術升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發(fā)展。
資料來源：中商產業(yè)研究院整理
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