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中商情報網訊：隨著我國集成電路國產化進程的加深、下游應用領域的蓬勃發(fā)展以及國內封測龍頭企業(yè)工藝技術的不斷進步，國內封測行業(yè)市場空間將進一步擴大。

集成電路封測行業(yè)市場現狀

受益于人工智能及物聯(lián)網等新興行業(yè)迅速發(fā)展及國產替代效應加劇，下游企業(yè)對集成電路的需求強勁，我國封測行業(yè)增速較快。數據顯示，我國集成電路封測行業(yè)市場規(guī)模由2017年的1889億元增至2020年的2510億元，年均復合增長率為9.9%。預計2022年我國集成電路封測行業(yè)將達2985億元。

數據來源：中商產業(yè)研究院整理

近年來，中國封測企業(yè)通過海外并購快速積累先進封裝技術，先進封裝技術已與海外廠商同步，但先進封裝產品的營收在總營收的占比與中國臺灣及美國封測巨頭企業(yè)存在一定差距。國內封測龍頭企業(yè)江蘇長電進入全球前三，市占率達14.0%。

數據來源：中商產業(yè)研究院整理

集成電路封測行業(yè)發(fā)展趨勢

1、集成電路進入“后摩爾時代”，先進封裝作用突顯

在集成電路制程方面，“摩爾定律”認為集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。長期以來，“摩爾定律”一直引領著集成電路制程技術的發(fā)展與進步，自1987年的1um制程至2015年的14nm制程，集成電路制程迭代一直符合“摩爾定律”的規(guī)律。但2015年以后，集成電路制程的發(fā)展進入了瓶頸，7nm、5nm、3nm制程的量產進度均落后于預期。隨著臺積電宣布2nm制程工藝實現突破，集成電路制程工藝已接近物理尺寸的極限，集成電路行業(yè)進入了“后摩爾時代”?！昂竽枙r代”制程技術突破難度較大，工藝制程受成本大幅增長和技術壁壘等因素上升改進速度放緩。由于集成電路制程工藝短期內難以突破，通過先進封裝技術提升芯片整體性能成為了集成電路行業(yè)技術發(fā)展趨勢。

2、先進封裝將成為未來封測市場的主要增長點

隨著5G通信技術、物聯(lián)網、大數據、人工智能、視覺識別、自動駕駛等應用場景的快速興起，應用市場對芯片功能多樣化的需求程度越來越高。在芯片制程技術進入“后摩爾時代”后，先進封裝技術能在不單純依靠芯片制程工藝實現突破的情況下，通過晶圓級封裝和系統(tǒng)級封裝，提高產品集成度和功能多樣化，滿足終端應用對芯片輕薄、低功耗、高性能的需求，同時大幅降低芯片成本。因此，先進封裝在高端邏輯芯片、存儲器、射頻芯片、圖像處理芯片、觸控芯片等領域均得到了廣泛應用。

3、系統(tǒng)級封裝是先進封裝市場增長的重要動力

系統(tǒng)級封裝可以把多枚功能不同的晶粒（Die，如運算器、傳感器、存儲器）、不同功能的電子元器件（如電阻、電容、電感、濾波器、天線）甚至微機電系統(tǒng)、光學器件混合搭載于同一封裝體內，系統(tǒng)級封裝產品靈活度大，研發(fā)成本和周期遠低于復雜程度相同的單芯片系統(tǒng)，日益成為先進封裝市場增長的重要動力。

4、高密度細間距凸點倒裝產品類產品市場興起

傳統(tǒng)WB工藝，芯片通過金屬線鍵合與基板連接，電氣面朝上；倒裝芯片工藝是指在芯片的I/O焊盤上直接沉積，或通過RDL布線后沉積凸點，然后將芯片翻轉，進行加熱，使熔融的焊料與基板或框架相結合，芯片電氣面朝下。與WB相比，FC封裝技術的I/O數多；互連長度縮短，電性能得到改善；散熱性好，芯片溫度更低；封裝尺寸與重量也有所減少。與應用FC技術的SiP芯片不同，FC芯片的沉積凸點更多，密度更大，大大減小了對面積的浪費。相比應用FC技術的SiP芯片來說，FC芯片有著諸多的優(yōu)勢，比如更小的封裝尺寸與更快的器件速度。

更多資料請參考中商產業(yè)研究院發(fā)布的《中國集成電路封測行業(yè)市場前景及投資機會研究報告》，同時中商產業(yè)研究院還提供產業(yè)大數據、產業(yè)情報、產業(yè)研究報告、產業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、十四五規(guī)劃、產業(yè)招商引資等服務。