二、上游
(一)IGBT
IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱(chēng)電力電子裝置的「CPU」。
1、IGBT市場(chǎng)供需
中國(guó)已經(jīng)成為全球最大的IGBT市場(chǎng),近年來(lái)IGBT產(chǎn)量及需求量持續(xù)增長(zhǎng)。2021年我國(guó)IGBT行業(yè)產(chǎn)量將達(dá)到0.26億只,需求量約為1.32億只。預(yù)計(jì)2022年我國(guó)IGBT行業(yè)產(chǎn)量將達(dá)到0.41億只,需求量約為1.56億只。
數(shù)據(jù)來(lái)源:Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
2、IGBT競(jìng)爭(zhēng)格局
由于IGBT對(duì)設(shè)計(jì)及工藝要求較高,而國(guó)內(nèi)缺乏IGBT相關(guān)技術(shù)人才、工藝基礎(chǔ)薄弱且企業(yè)產(chǎn)業(yè)化起步較晚,因此IGBT市場(chǎng)長(zhǎng)期被大型國(guó)外跨國(guó)企業(yè)壟斷。自2015年以來(lái),我國(guó)IGBT自給率超過(guò)10%并逐漸增長(zhǎng),預(yù)計(jì)2024年我國(guó)IGBT自給率將達(dá)40%?;趪?guó)家相關(guān)政策中提出核心元器件國(guó)產(chǎn)化的要求,國(guó)產(chǎn)替代成為國(guó)內(nèi)IGBT行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。
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目前,國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)主要由英飛凌、三菱電機(jī)、富士電機(jī)等海外廠商占據(jù)。中國(guó)IGBT市場(chǎng)占比前三的分別是英飛凌、三菱電機(jī)和富士電機(jī)。其中占比最高的是英飛凌,為15.9%。
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