中商情報(bào)網(wǎng)訊：新型功率半導(dǎo)體器件IGBT是電力電子行業(yè)的“CPU”，IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
市場(chǎng)規(guī)模
近年來，全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模一直變成增長(zhǎng)趨勢(shì)，2020年市場(chǎng)規(guī)模約為66.5億美元，中國(guó)市場(chǎng)約占全球市場(chǎng)的 40%。預(yù)計(jì)2022年將進(jìn)一步增長(zhǎng)至80.8億美元。
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
競(jìng)爭(zhēng)格局
目前IGBT行業(yè)國(guó)產(chǎn)率較低，行業(yè)整體集中度較高，2020年前三企業(yè)占整體市場(chǎng)達(dá)51%。其中英飛凌占比最多，達(dá)27%。三菱排名第二，占比14%。安森美占比10%，位居第三。
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