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2022年全球半導體存儲器市場規(guī)模及結(jié)構(gòu)預測分析（圖）

來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布日期：2022-07-25 09:02

半導體存儲器

中商情報網(wǎng)訊：半導體存儲器一般指半導體集成存儲器。用半導體集成電路工藝制成的存儲數(shù)據(jù)信息的固態(tài)電子器件。簡稱半導體存儲器。它由大量相同的存儲單元和輸入、輸出電路等構(gòu)成。

市場規(guī)模

半導體存儲器作為電子系統(tǒng)的基本組成部分，是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)應用最為廣泛的電子器件之一。隨著現(xiàn)代電子信息系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲需求指數(shù)級增長，半導體存儲出貨量持續(xù)大幅增長，另一方面，由于存儲晶圓制程基本按照摩爾定律不斷取得突破，單位存儲成本在長期曲線中呈現(xiàn)單邊下降趨勢，市場的總體規(guī)模在短期供需波動中總體保持長期增長趨勢。市場規(guī)模2020年的1174.82億美元，同比增長10.35%，預計2022年將增長至1300億美元。

數(shù)據(jù)來源：WSTS 、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

市場結(jié)構(gòu)

半導體存儲市場中，DRAM 和 NAND Flash 占據(jù)主導地位，全球半導體存儲器市場中 DRAM 占比達 58%，NAND Flash 約占40%，此外 NOR Flash 占據(jù)約 1%的市場份額。

隨著電子產(chǎn)品對即時響應速度和數(shù)據(jù)處理速度的要求不斷提高和 CPU 升級迭代，DRAM 器件的主流存儲容量亦持續(xù)擴大。近年來隨著 NAND Flash 技術(shù)不斷發(fā)展，單位存儲成本的經(jīng)濟效益不斷優(yōu)化，應用場景持續(xù)拓展，用戶需求不斷攀升。在長期增長的總體趨勢下，DRAM 和 NAND Flash 的短期市場規(guī)模與產(chǎn)品價格受到晶圓技術(shù)迭代與產(chǎn)能投放、下游終端市場需求、渠道市場備貨，以及全球貿(mào)易環(huán)境等多重因素影響，供求平衡較為敏感。

數(shù)據(jù)來源：IC Insights、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

更多資料請參考中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《中國集成電路行業(yè)市場前景及投資機會研究報告》，同時中商產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)情報、產(chǎn)業(yè)研究報告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、十四五規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資等服務。