三、碳化硅行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
1.碳化硅功率器件
(1)市場(chǎng)規(guī)模
碳化硅功率器件又稱(chēng)電力電子器件,主要應(yīng)用于電力設(shè)備電能變換和控制電路方面的大功率電子器件,有功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。
隨著技術(shù)突破和成本的下降,SiC器件預(yù)計(jì)在不遠(yuǎn)的將來(lái)會(huì)大規(guī)模的應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。根據(jù)數(shù)據(jù),2018年和2021年碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模分別約4億和9.3億美元,復(fù)合增速約32.4%,按照該復(fù)合增速,中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)計(jì)2022年碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模約10.9億美元。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車(chē)和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模增速可觀。
數(shù)據(jù)來(lái)源:Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
(2)競(jìng)爭(zhēng)格局
在功率器件端,目前意法半導(dǎo)體一家獨(dú)大,前幾位均為國(guó)外公司,國(guó)內(nèi)公司尚未形成一定市占率。其中STM占比最多,達(dá)40%。其次分別為Wolfspeed、Rohm、Infineon、Onsemi,占比分別為15%、14%、13%、9%。
數(shù)據(jù)來(lái)源:Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
2.碳化硅功率半導(dǎo)體
與硅基半導(dǎo)體材料相比,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力等特點(diǎn),適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。根據(jù)Omdia統(tǒng)計(jì),2019年全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為8.9億美元,受益于新能源汽車(chē)及光伏領(lǐng)域需求量的高速增長(zhǎng),2020年約為11.2億美元。預(yù)計(jì)2024年全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)26.6億美元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到24.5%。
數(shù)據(jù)來(lái)源:Omdia、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理