3.碳化硅器件成本結(jié)構(gòu)
碳化硅在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域中是第三代半導(dǎo)體材料代表之一,從碳化硅器件的制造成本結(jié)構(gòu)來看,襯底成本最大,占比達(dá)47%;其次是外延成本,占比為23%。這兩大工序是SiC器件的重要組成部分。
數(shù)據(jù)來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
4.下游應(yīng)用情況
近年來中國碳化硅功率器件市場規(guī)??焖僭鲩L,其主要驅(qū)動(dòng)因素之一是新能源汽車市場的快速滲透。2021年,新能源汽車占下游應(yīng)用市場的份額為38%。其次是消費(fèi)類電源,占比為22%;光伏逆變器占據(jù)著15%的份額。
數(shù)據(jù)來源:CASA、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
5.碳化硅產(chǎn)線建設(shè)
2021年國內(nèi)投產(chǎn)3條6英寸SiC晶圓產(chǎn)線,總體來看國內(nèi)至少已有7條6英寸Sic晶圓制造產(chǎn)線(包括中試線),另有約10條SiC生產(chǎn)線正在建設(shè)。GaN射頻產(chǎn)線方面,目前有5條4英寸GaN-on-SiC生產(chǎn)線,約有5條GaN射頻產(chǎn)線正在建設(shè)。
資料來源:CASA、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理