在今天的CES2017展會上,高通正式發(fā)布了新一代驍龍835處理器,采用Kryo280八核心架構(gòu),采用目前最先進(jìn)的10nmFinFET工藝制造,功耗更低。那么,驍龍835和821有什么區(qū)別?有哪些新特性呢?下面小編就來簡單介紹下,一文秒懂。
高通驍龍835
先來看看高通驍龍835新特性:
QuickCharge4.0快充
驍龍835搭載了更高規(guī)格的快充技術(shù),兼容USBType-C,較上一代QC3.0快20%,充電的安全性進(jìn)一步加強(qiáng),充電5分鐘,可以通話5小時。
10nm工藝、功耗降低25%
驍龍835處理器采用了目前最先進(jìn)的10nm工藝,整個芯片封裝尺寸減小35%,功耗相比驍龍821降低了25%,帶來了功耗,并且有利于減少發(fā)熱與提升續(xù)航。
性能提升
驍龍835處理器采用了高通自助的Kryo280架構(gòu),采用4大核+4小核的設(shè)計,大小核最高主頻分別為2.45GHz和1.9GHz。并集成了Adreno540GPU,支持4K顯示分辨率;支持4K屏、UFS2.1閃存標(biāo)準(zhǔn),LPDDR4x四通道內(nèi)存、VR、雙攝支持等,性能提升明顯。
其它
驍龍835還支持更高規(guī)格的X16LTE調(diào)制解調(diào)器,并且支持最新的藍(lán)牙5技術(shù)。
驍龍835和821有什么區(qū)別?
高通驍龍835作為821的升級版,區(qū)別主要在于以下幾個方面:
1、性能提升
驍龍835再次回到了八核心設(shè)計,內(nèi)置的GPU也更強(qiáng),綜合性能相比四核的驍龍821有了明顯的提升。
2、功耗更低
驍龍821為14nm工藝,而驍龍835提升到了更先進(jìn)的10nm工藝,功耗降低了25%,提升明顯。這意味著,驍龍835在發(fā)熱控制與續(xù)航方面,會更給力。
3、快充升級
驍龍821配備的是QC3.0快充技術(shù),號稱充電5分鐘,通話2小時。而驍龍835則配備了更先進(jìn)的QC4.0快充技術(shù),充電速度更快,綜合快速表現(xiàn)提升了20%,號稱充電5分鐘,通話5小時。
4、其它區(qū)別
驍龍835相比821其它的區(qū)別在于基帶和藍(lán)牙支持等,驍龍835作為升級版,支持更高規(guī)格的基帶和藍(lán)牙5.0,另外對雙攝像頭支持也更好,并支持4K屏、8GB大內(nèi)存等。
編后語:
總的來說,驍龍835相比驍龍821,不僅性能更強(qiáng),而且功耗更低,續(xù)航更給力,另外還有更高規(guī)格的快充、基帶、雙攝、藍(lán)牙5.0支持,綜合表現(xiàn)提升還是非常明顯的,它無疑將是今年安卓旗艦機(jī)最火的處理器。