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在智能手機市場，旗艦機一方面是時代最新技術(shù)的展現(xiàn)，另一方面也是超前設(shè)計的率先實現(xiàn)，盡管售價高昂，但依舊是萬眾的焦點，有著旺盛的市場需求。在過去的2016年，旗艦市場不僅是三星、蘋果這樣的大廠一枝獨秀，更有國產(chǎn)品牌攜人工智能、全面屏設(shè)計等亮點參與其中，競爭愈演愈烈。

如此背景之下，消費者面臨的選擇將更加多樣，2017年的旗艦機無疑更加令人期待。對此我們也針對即將發(fā)布的旗艦機型特性做出一定的分析和預(yù)測，幫助消費者讀懂今年的旗艦產(chǎn)品。

10nm處理器將是標(biāo)配

就手機的硬件而言，處理器有著極高的集成度，涉及了通訊、拍照、圖形等功能，直接決定了手機的性能與定位。作為旗艦機型，自然要選擇最頂級的處理器，因此10nm處理器是水到渠成的選擇。我們知道，用更先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝打造處理器，意味著處理器將擁有更高的性能、更小的封裝面積以及更低的功耗，這些特性之于旗艦機高效、輕薄、節(jié)能的發(fā)展趨勢不謀而合。

高通驍龍835

目前，三星和臺積電的10nmFinFET工藝均已實現(xiàn)量產(chǎn)，備受關(guān)注的高通驍龍835將是10nm工藝的首發(fā)之作。相較于上代旗艦驍龍821，驍龍835性能部分提升27%，功耗也降低了40%，此外還新增了AR、機器學(xué)習(xí)、QC4.0快充等特性，包括三星GalaxyS8、LGG6、小米6等產(chǎn)品均會選用，成為開年旗艦機型的首選。后續(xù)地，包括Exynos8895、HelioX30、麒麟970、A11等10nm處理器也已準(zhǔn)備就緒，分別會在三星、魅族、華為、蘋果等品牌的旗艦機型中出現(xiàn)。

遺憾的是，目前基于10nmFinFET工藝的芯片產(chǎn)能有限，緊俏的貨源將在前期制造一機難求的尷尬，不過隨著后期工藝的成熟，情況會逐漸緩解，10nm處理器將是旗艦機型的標(biāo)配。

6GB運行內(nèi)存起步

消費者已經(jīng)達(dá)成了共識，運存大小決定了手機的后臺應(yīng)用運行數(shù)量，也影響著手機的流暢度，因此更大的運存一直是旗艦機的追求。在2016年，4GB運行內(nèi)存成為主流，6GB運行內(nèi)存也在年末的旗艦機型中逐漸普及，成為旗艦機型的頂配。到了2017年，6GB運存應(yīng)該是旗艦機的起步參數(shù)，畢竟8GB的運存已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn)，華碩的ZenFoneAR在開年的CES上已經(jīng)率先搭載，算是為今年的旗艦機配置定下了基調(diào)：6GB起步、8GB頂配。

8GB運行內(nèi)存

可能有人會提出異議，運存達(dá)到一定程度，之于日常體驗的提升已經(jīng)越來越小，單純的追求參數(shù)并沒有太大的意義。的確如此，但是隨著近年移動端AR、VR和雙攝的興起，產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)會在手機當(dāng)中處理，運存當(dāng)中的數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)調(diào)用頻度都會急劇上升，此時大運存在數(shù)據(jù)讀取、存儲上的優(yōu)對于體驗有著顯著改善。加之旗艦機型的前瞻性配置，大運存還是很有必要的。