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序號(hào)

產(chǎn)品名稱

產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

一、新能源材料

1

Ni88高鎳單晶正極材料

放電容量≥218mAh/g（0.2C）；首次庫(kù)倫效率≥88%；高溫45℃的1C循環(huán)1000次容量保持率≥80%；極片壓實(shí)密度≥3.7g/cm3；材料pH＜11.6；殘堿含量：OH-＜0.2wt%，CO32-＜0.2wt%。

新能源汽車

2

高壓實(shí)磷酸鐵鋰

壓實(shí)密度≥2.45g/cm3；0.5C全電放電克容量145mAh/g；常溫1C/1C循環(huán)6000次容量保持率≥80%；60℃7天容量保持率≥96%；60℃500天容量保持率≥80%；8C放電容量保持率≥96%。

新能源汽車、儲(chǔ)能電池

3

鎳鈷錳鋁氫氧化物/動(dòng)力電池正極材料用四元前驅(qū)體

振實(shí)密度：1.5±0.5g/cm3；粒度：3.0-18.0μm；磁性異物<20 ppb；比表面積：5.0~30.0m2/g；鎳含量：50~60wt%，鈷含量：3~10wt%，錳含量：1.5~5wt%，鋁含量：0.1~2wt%；水分＜0.5wt%。

新能源汽車

4

超分散型碳納米管導(dǎo)電劑

純度≥99%；粉體電阻率≤70mΩ·cm；陣列長(zhǎng)度≥30μm；應(yīng)用于磷酸鐵鋰中，2%碳納米管添加量體積電阻率＜2Ω·cm；管徑6-10nm。

新能源汽車

5

鋰離子電池用硅負(fù)極材料

（1）硅負(fù)極材料：容量：650~1700mAh/g；首效效率：76~88%；
（2）硅復(fù)合品：容量≥400mAh/g；首次效率≥90%；電池循環(huán)性能：1200次循環(huán)后容量保持率≥80%（0.5C充電/1.0C放電，RT 25℃）。

新能源汽車、電子產(chǎn)品

6

天然石墨負(fù)極材料

首次容量≥360 mAh/g；4000次循環(huán)后容量保持率≥80％；低溫性能：-20℃，0.2C放電至終止電壓，-20℃/20℃的放電時(shí)間比≥95%，壓實(shí)密度≥1.7 g/cm3。

新能源汽車、3C數(shù)碼產(chǎn)品

7

人造石墨負(fù)極材料

比容量≥355mAh/g；3000次循環(huán)后容量保持率≥85％；3C下，容量/1C容量≥95%，壓實(shí)密度≥1.7 g/cm3。

新能源汽車

8

石墨烯包覆硅碳負(fù)極

首次可逆容量：500mAh/g；首次充電效率：91.5%；振實(shí)密度：0.95~1.05g/cm3；壓實(shí)密度1.50±0.05 g/cm3；電池循環(huán)性能：1000次循環(huán)后容量保持率≥80%（0.5C充電/1.0C放電，RT 25℃）。

新能源汽車、儲(chǔ)能

9

雙電層電容器高溫電解液

2.7V，85℃浮充壽命1000h：判斷標(biāo)準(zhǔn)容量保持率≥70%；等效直流內(nèi)阻增長(zhǎng)率≤200%，電導(dǎo)率（25℃）≥5mS/cm；粘度（25℃）≤25mpa·s。

新能源汽車

10

磷酸鈦鋁鋰固態(tài)電解質(zhì)材料

粉末產(chǎn)品：離子電導(dǎo)率≥3.5×10-4S/cm，顆粒平均尺寸D50≤1μm，殘堿含量（OH-≤0.01%、CO32-≤0.01%）；漿料產(chǎn)品：離子電導(dǎo)率≥3.5×10-4S/cm，顆粒平均尺寸D50≤150nm，漿料穩(wěn)定性：靜置7天無(wú)明顯沉淀，固含量≥10%。

新能源汽車

11

高耐熱輕量化復(fù)合隔膜

180℃1h縱向熱收縮≤5%；180℃1h橫向熱收縮≤5%；破膜溫度≥180℃；面密度≤8g/m2；基膜厚度<9μm。

新能源汽車

二、信息技術(shù)材料

2.1新型顯示材料

12

固定曲率AMOLED偏光片

透過率(380nm)≤1%；單體透過率≥42.5%；有效厚度<110μm；反射率(8°)可由<6.0%改為<5.5%。

注：反射率測(cè)試方法：用分光測(cè)色計(jì)測(cè)量8°角下的全波段反射譜，用CIE標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算。

新型顯示

13

盲孔顯示屏用開孔偏光

收縮率≤0.3%；單體透過率≥42%；耐高溫性能：85℃，240h；耐高溫高濕性能：60℃*90%RH，240h；耐冷熱沖擊：-40℃~85℃，100 cycle；收縮應(yīng)力：cell彎曲<0.3mm。

注：收縮率測(cè)試方法：將偏光裁切成100mm×100mm尺寸后，貼合在玻璃上，消泡（50℃*0.5MPa*20min）后進(jìn)行用三次元測(cè)量尺寸，之后投入85℃高溫試驗(yàn)箱，經(jīng)過240小時(shí)后，再次測(cè)量尺寸；計(jì)算兩次測(cè)量的收縮率。
收縮應(yīng)力測(cè)試方法：兩片正交偏光片貼合在總厚度0.3mm左右，尺寸6吋左右的液晶顯示面板兩側(cè)，消泡后常溫放置3天，測(cè)量面板邊緣翹起高度。

新型顯示

14

micro-LED用氟硅膠

硬度：10-30邵A；拉伸強(qiáng)度≥2.0MPa；伸長(zhǎng)率≥100%；粘接強(qiáng)度≥0.3 MPa；揮發(fā)物（150℃*3h）＜0.2%。

新型顯示

15

OLED玻璃密封膠

激光燒結(jié)前的預(yù)燒結(jié)溫度≤380℃；無(wú)機(jī)玻璃料在800nm波長(zhǎng)的吸收率＞95%；無(wú)機(jī)玻璃料的熱膨脹系數(shù)為9.9；激光燒結(jié)后拉力需≥50N/mm2；激光燒結(jié)后，90℃水浴加熱24h，玻璃膠損耗率＜0.05wt%。

新型顯示

16

TFT用正性光刻膠

分辨率≤3μm；感度：20 mJ/cm2~30mJ/cm2；含水量≤0.5%；G4.5尺寸玻璃涂布均一性＜3%；單項(xiàng)痕量金屬雜質(zhì)≤100ppb；顆粒數(shù)量（＞0.5μm顆粒）＜20個(gè)/ml；不同批次感度誤差±5%。

新型顯示

17

光學(xué)膠

藍(lán)光阻隔率>50%；紫外光阻隔率>90%；粘接強(qiáng)度>180N/25mm；拉伸強(qiáng)度>8Mpa；斷裂延伸率>500%。

新型顯示

18

柔性O(shè)LED用CPI薄膜

薄膜厚度：50μm，公差≤±5%；透光率（@550nm）≥89%；黃度指數(shù)≤2.0；拉伸模量≥6.0GPa；耐彎折性≥20萬(wàn)次（R=2mm）；表面硬度≥2H；玻璃化轉(zhuǎn)變溫度＞300℃。

新型顯示

19

柔性液晶隔熱無(wú)級(jí)變光膜

柔性變光膜；柔性可彎曲，直接貼附于玻璃或玻璃夾膠；寬幅≤2m；通過500萬(wàn)次開關(guān)測(cè)試；15年產(chǎn)品壽命；調(diào)光范圍：0.5%~45%、35%~70%；無(wú)級(jí)調(diào)光；功耗：50~100mW/m2；電壓≤10V；紫外線阻隔率：99.9%；隔熱率：50%；響應(yīng)速率≤0.1秒。

新型顯示

20

電致變色膜

反射率變化時(shí)間（50％→15％，25℃）≤6秒(DC1.2V)；反射率變化時(shí)間（15％→40％，25℃）≤16秒（正負(fù)極短路放電）；運(yùn)行耐久性檢測(cè)：每1分鐘給器件通電30秒/短路放電30秒，工作10小時(shí)，休息兩小時(shí)(鏡片保持短路狀態(tài))，試驗(yàn)?zāi)苷９ぷ?，沒有出現(xiàn)分相現(xiàn)象；550nm波段：5％＜可見光透過率（T%）＜75％。

新型顯示

21

半色調(diào)
（HTM）掩膜版

線長(zhǎng)精度CD：± 0.2μm；范圍Range：≤0.2μm；總長(zhǎng)精度Total Pitch：± 0.3μm；半色調(diào)層透過率均勻性：± 1.0%；范圍Range：≤1.5%。

新型顯示

22

光掩膜板

外形尺寸：800×960mm；平整度≤20μm；最小線（縫）寬≥1μm；線長(zhǎng)精度CD≥±0.1μm。

新型顯示

23

功率器件用
氮化鎵外延片

4英寸及以上氮化鎵外延片方阻< 400 Ω；二維電子氣濃度> 8×1012cm-2；翹曲＜50μm；遷移率> 1500cm2/vs。

新型顯示

2.2 5G通訊用材料

24

5G用液晶高分子材料

介電常數(shù)≤2.6；電損耗角正切≤0.0006；彎曲模量≥4500MPa；拉伸強(qiáng)度≥70MPa；懸臂梁缺口沖擊≥14kJ/m2；

注：介電常數(shù)、介電損耗角測(cè)試條件：IPC-TM-650 2.5.5.13；頻率1-14 GHz檢測(cè)條件：IPC-TM-650 2.5.5.5.1

5G通訊、電子電器

25

適用于高頻高速的改性低介電PI薄膜

在剝離強(qiáng)度>1Kgf/cm的條件下（Cu表面粗糙度＜100nm）；熱收縮率＜0.1%；CTE＜20ppm/℃；Dk＜3.4；Df＜0.005；吸水率＜0.5%。

5G通訊

26

5G非金屬天線振子

塑料天線振子金屬鍍層厚度≥8μm，采用化學(xué)鎳打底厚度≤1μm；鍍層粘附強(qiáng)度≥（10±1）N/25mm；駐波值：1.2~1.5；耐蝕性：經(jīng)24H中性鹽霧試驗(yàn)試樣，表面不出現(xiàn)腐蝕跡象；電鍍層可焊性能好；耐熔蝕性：在錫爐溫度280℃±5℃中浸泡后不會(huì)起泡；磁導(dǎo)率：電鍍后電鍍后的成品，表面測(cè)試相對(duì)磁導(dǎo)率，要求相對(duì)磁導(dǎo)率μ≤1.002；DK=4.0±0.15, DF≤0.002；阻燃性：5VB。

5G通訊

27

5G基站電磁屏蔽材料超軟硅膠

體積電阻率0.02Ω·cm；屏蔽效能（200MHz-20GHz）＞100dB；硬度（邵A）45±5；延伸率：203%；撕裂延伸1.14MPa；撕裂強(qiáng)度8.63N/cm；硫化后比重1.92g/cm3；硫化前比重1.81g/cm3；粘接力（鋁板）21N/cm2；壓縮變形：25%壓縮：14.9lb/in，40%壓縮：39.8lb/in；溫度范圍：-50℃-150℃；UL等級(jí)：UL94 V0；硫化時(shí)間（硫化溫度125℃）1.5小時(shí)；厚度：1~5mm。

5G通訊、計(jì)算機(jī)

28

導(dǎo)熱墊片

硬度（邵00）：55±10；厚度：0.5~2mm；導(dǎo)熱系數(shù)：35W/(m·K)；熱阻（℃in2/W）(2mm)≤0.1；
滲油率＜3%；耐溫性：125℃；阻燃性：HB；擊穿電壓≥1.0kV/cm；環(huán)保：RoHS2.0+鹵素+REACH

5G通訊、電子產(chǎn)品

29

可定制介電工程塑料

介電常數(shù)：2.1-10.0，介電損耗<0.04；拉伸強(qiáng)度：40-140Mpa；沖擊強(qiáng)度：30-150 J/m；精度批次差<5%。

5G通訊

2.3芯片制造

30

半導(dǎo)體用大尺寸
高純石英擴(kuò)散管

外徑：300～400mm；偏壁厚≤0.6mm；金屬雜質(zhì)含量＜13ppm；長(zhǎng)期使用溫度1150℃。

半導(dǎo)體、
集成電路

31

環(huán)保電沉積黃金材料

鍍金層純度≥99.95%；鍍金層孔隙率≤8個(gè)/cm2，1μm鍍層（GB/T 12305.3-1990）；分散能力≥75%（JB/T 7704.4-1995）

半導(dǎo)體、
集成電路

32

半導(dǎo)體裝備用氧化鋁陶瓷部件

密度≥3.90g/cm3；硬度（HRA）≥90；抗折強(qiáng)度≥400MPa，Ra≤0.6μm。

半導(dǎo)體、LED

2.4三代半導(dǎo)體

33

鋁基碳化硅
復(fù)合材料

導(dǎo)熱系數(shù)室溫≥200W(m·k)；抗彎折強(qiáng)度≥300MPa；熱膨脹系數(shù)（RT～200℃）＜9ppm/℃。

半導(dǎo)體高功率
密度封裝

34

氮化鎵單晶襯底

2英寸及以上GaN單晶襯底；位錯(cuò)密度＜5×106cm-2；表面粗糙度＜0.3nm；N型GaN單晶襯底電阻率<0.05Ω·cm；半絕緣GaN單晶襯底電阻率＞106Ω·cm。

半導(dǎo)體

35

碳化硅襯底片

6英寸SiC材料：?jiǎn)尉Р牧现睆健?英寸；襯底微管密度≤0.5個(gè)/cm2；n型襯底電阻率≤30mΩ·cm,半絕緣襯底電阻率≥1×107Ω·cm；襯底總腐蝕坑密度≤5000個(gè)/cm2；襯底翹曲度（Warp）≤45μm；襯底彎曲度（|bow|）≤25μm；襯底總厚度變化（TTV）≤15μm；襯底局部厚度變化（LTV）≤5μm；襯底表面粗糙度≤0.2nm(測(cè)量面積：10μm×10μm)；X射線半峰寬≤60；
8英寸SiC材料：?jiǎn)尉Р牧现睆健?英寸；襯底微管密度≤5個(gè)/cm2；n型襯底電阻率≤30mΩ·cm，半絕緣襯底電阻率≥1×105Ω·cm；襯底晶片翹曲度（Warp）≤60μm；襯底表面粗糙度≤0.5nm(測(cè)量面積：10μm×10μm)。

半導(dǎo)體

2.5芯片封裝

36

芯片級(jí)底部填充材料

滿足25mm*25mm芯片；凸塊間距150μm；凸塊高度為80μm的情況；無(wú)流痕等缺陷；
封裝大?。?5*75；芯片大?。?5*25的溫循；高溫存儲(chǔ)；滿足回流吸濕前處理等可靠性要求；無(wú)斷裂、界面分層失效。

集成電路、
半導(dǎo)體

37

芯片級(jí)熱界面材料

界面熱阻低，可控的厚度＜60μm，界面熱阻低于0.05 K·cm2/W；
在封裝大?。?5*75，芯片大小＞25*25上溫循，高溫存儲(chǔ)，回流吸濕前處理等基本可靠性熱性能無(wú)明顯衰退，無(wú)泵出和干化等風(fēng)險(xiǎn)。

集成電路、
半導(dǎo)體

38

光敏聚酰亞胺

滿足可圖案化、絕緣性、粘附性、低介電、低損耗、抗銅遷移
固化溫度<300℃；曝光開口能力強(qiáng)；深孔比>1；低吸水率<0.5%；高延展率和界面粘接力（與Si/Cu)，在溫循，高溫存儲(chǔ)，回流吸濕前處理等基本可靠性過程中無(wú)分層和斷裂；100GHz介電常數(shù)<3；耗散因子<0.01；擊穿電壓>250kV/mm。

集成電路、
半導(dǎo)體

39

封裝基板增層薄膜材料

低介電損耗，Df＜0.005（5.8GHz）；低熱膨脹系數(shù)（CTE），低于玻璃態(tài)溫度點(diǎn)為CTE＜25ppm，高于玻璃態(tài)溫度點(diǎn)CTE＜70ppm；與化鍍銅有良好的界面粘接。

集成電路、
半導(dǎo)體

40

基板玻纖布
（T型玻纖）

用于高性能大尺寸FCBGA（倒裝芯片球柵格陣列）的基板核心底層材料，熱膨脹系數(shù)＜3ppm，
與樹脂的粘接力好，最低玻纖直徑為4μm，斷裂延展率＞5%。

集成電路、
半導(dǎo)體

41

活性金屬釬焊覆銅陶瓷線路板（AMB）

剝離強(qiáng)度＞10N/mm；冷熱循環(huán)能力（TC，-55℃~150℃）≥3000次；導(dǎo)熱系數(shù)≥80W/(m·K)；
抗彎強(qiáng)度≥700Mpa。

集成電路、
半導(dǎo)體

42

高取向高分子基碳納米管復(fù)合材料

取向因子≥50；電導(dǎo)率≥300S/cm；機(jī)械強(qiáng)度≥1.0GPA；取向方向?qū)嵯禂?shù)≥10W/(m·K)。

集成電路、
半導(dǎo)體

2.6柔性線路板

43

超薄Cu箔

厚度＜12μm，用于基板的精細(xì)電路圖案的制作，兼容高密工藝和樹脂有良好的粘接，與載體箔的剝離性能佳。

集成電路、
半導(dǎo)體

2.7印制電路板

44

基板綠油材料

基板表面的阻焊層，高密度加工能力；高玻璃態(tài)溫度點(diǎn)；低熱膨脹系數(shù)；高延展率；
良好的抗?jié)窨垢邏盒阅?；和抗裂可靠性?

集成電路、
半導(dǎo)體

三、生物醫(yī)用材料

45

中空纖維膜

氮?dú)馔浚?.2-10ml/(cm2×min×bar)；拉伸強(qiáng)度≥60cN；斷裂伸長(zhǎng)率≥60%；外爆破壓力≥2bar；內(nèi)爆破壓力≥3.5bar。

醫(yī)療

46

雙層人工真皮修復(fù)材料

下層孔隙率≥70%；上層水蒸氣透過率≥0.1mg/cm2/h；重金屬總含量≤3μg/mL；上層厚度(0.25±0.15)mm，下層厚度(2±1)mm；上層拉伸強(qiáng)度>2MPa，撕裂強(qiáng)度>1N/mm；下層降解殘留率＞75%；交聯(lián)劑殘留量≤1.5μg/mL；細(xì)菌內(nèi)毒素含量＜20EU。

醫(yī)療

47

含鎂可降解高分子骨修復(fù)材料

產(chǎn)品同時(shí)具有宏觀孔和微觀孔；宏觀孔徑范圍：100μm～900μm，微觀孔徑范圍：1μm～100μm；塊狀、圓柱型產(chǎn)品的孔隙率應(yīng)≥45%；塊狀、圓柱型產(chǎn)品的壓縮強(qiáng)度應(yīng)≥2.0MPa；生物安全性符合GB16886系列標(biāo)準(zhǔn)。

醫(yī)療

48

鐵基可吸收藥物洗脫冠脈支架

支架桿厚度＜80μm；滲氮鐵管抗拉強(qiáng)度≥700MPa；徑向強(qiáng)度≥120kPa；支架過擴(kuò)極限：名義直徑+0.75mm；支架擴(kuò)張至標(biāo)稱直徑對(duì)應(yīng)的擴(kuò)張壓力時(shí)，最大最小的直徑差值應(yīng)≤標(biāo)稱直徑的10%；面積狹窄率@28天≤30%；3個(gè)月降解速率≤10%；腐蝕、釋藥相關(guān)的生物安全性符合GB16886系列標(biāo)準(zhǔn)。

醫(yī)療

49

可吸收藥物洗脫外周支架

支架桿厚度＜80μm；滲氮鐵管抗拉強(qiáng)度≥700MPa；徑向強(qiáng)度≥120kPa；支架過擴(kuò)極限：名義直徑+0.75mm；支架擴(kuò)張至標(biāo)稱直徑對(duì)應(yīng)的擴(kuò)張壓力時(shí)，最大最小的直徑差值應(yīng)≤標(biāo)稱直徑的10%；面積狹窄率@28天≤30%；3個(gè)月降解速率≤10%。

醫(yī)療

50

鐵基可吸收支架:2.25-4.0規(guī)格/裸支架（3.5-10.0規(guī)格）

（1）2.25-4.0規(guī)格：支架桿厚度＜80μm；滲氮鐵管抗拉強(qiáng)度≥700MPa；徑向強(qiáng)度≥120kPa；支架過擴(kuò)極限：名義直徑+0.75mm；支架擴(kuò)張至標(biāo)稱直徑對(duì)應(yīng)的擴(kuò)張壓力時(shí)，最大最小的直徑差值應(yīng)≤標(biāo)稱直徑的10%；3個(gè)月降解速率≤10%；
（2）3.5-10.0規(guī)格：支架桿厚度＜80μm；滲氮鐵管抗拉強(qiáng)度≥700MPa；徑向強(qiáng)度≥80kPa；支架過擴(kuò)極限：名義直徑+0.75mm（φ3.5-4.0mm）；名義直徑+1.0mm（φ5.0-10.0mm）；面積狹窄率@28天≤30%；3個(gè)月降解速率≤15%。

醫(yī)療

四、前沿新材料

51

石墨烯涂層

涂層耐溫性：1600℃；抗熱震性：1000℃/25次；高溫熔鹽腐蝕：600℃/2000h；高溫硫、氯氣氛腐蝕：600℃/2000h；高溫粘附系數(shù)<10mg/cm2。

電力、石化、鋼鐵、建材、垃圾焚燒

52

石墨烯透明電熱薄膜

總透光率≥85%（含兩層石墨烯加基材）；霧度≤4%；四方向彎折≥500次，電阻變化≤1.2倍初始值；雙層石墨烯面電阻≤150Ω；常規(guī)散熱下，功率密度≥1200W/m2。

智能穿戴產(chǎn)品、醫(yī)療器械、電子信息、汽車

53

石墨烯導(dǎo)熱膜

導(dǎo)熱系數(shù)：1800W/(m·K)；厚度：25-500μm；密度：1.8-2.1 g/cm3，耐彎折次數(shù)：100000次；熱擴(kuò)散系數(shù)＞900mm2/s。

機(jī)械、電子、航空航天、醫(yī)療

54

高速軸承用特種潤(rùn)滑材料

工作錐入度（0.1mm）280±15；速度因子1,000,000；軸承壽命測(cè)試≥600h。

高鐵、精密機(jī)床

55

碳納米管薄膜

純度＞99.9%；透光率：78-90%；高定向性：Ra=100；電阻均一性：5%；耐彎折次數(shù)：100萬(wàn)次（R=5 mm，面電阻變化＜10%）；單位面積熱容：7.7×10-3J/m2K。

新型顯示、集成電路

56

碳納米管纖維

強(qiáng)度：1000~2000 MPa，模量：120~200GPa，電導(dǎo)率：5×104~9×104S/m。

導(dǎo)電線芯、能源器件、傳感探針

57

3D打印用高性能金屬粉體材料

（1）鈦合金粉：氧含量≤200ppm；粉末粒度范圍：15μm～53μm，粒形為球形，球形度≥90%；流動(dòng)性≤25s/50g，松裝比重≥2.1g/cm3；
（2）不銹鋼粉：化學(xué)成分符合不銹鋼國(guó)標(biāo)規(guī)范，氧含量≤200ppm；粉末粒度范圍：15μm～53μm，粒形為球形，球形度≥90%；流動(dòng)性≤15s/50g；松裝比重＞3.5g/cm3。

3D打印

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3D打印聚乳酸

一般為透明或半通明顆粒，無(wú)異嗅，無(wú)異物；水分含量≤0.05%；密度：1.25±0.05g/cm3；熔體質(zhì)量流動(dòng)速率(MFR<5)：±0.5；熔體質(zhì)量流動(dòng)速率MFR(5≦MFR<10)：±2；熔體質(zhì)量流動(dòng)速率MFR(10≦MFR<20)：±5；熔體質(zhì)量流動(dòng)速率MFR(<20MFR)：±10；熔點(diǎn)≥125℃；Tg≥50℃；拉伸強(qiáng)度≥45MPa；缺口沖擊強(qiáng)度≥1kJ/m2；生物分解率≥60%；灼燒殘?jiān)?.3%；正已烷提取物≤2%；揮發(fā)性物質(zhì)含量≤0.5%；特性粘度偏差：±0.02dL/g；重均分子量偏差：±20%。

3D打印

五、其他

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網(wǎng)狀高分子材料

表觀密度：15.0～20.0kg/m3；燃油置換率≤2.0%；燃爆增壓值≤0.064 Mpa；壓縮永久變形率≤45%。

汽車、油站

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高彈性氟硅橡膠

硬度：50-70邵A；拉伸強(qiáng)度≥9.0MPa；伸長(zhǎng)率≥250%；回彈≥24；壓縮永久形變≤15%。

航空電子器件

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室溫硫化氟硅橡膠

硬度：30～50邵A；拉伸強(qiáng)度≥2MPa；撕裂強(qiáng)度≥10kN/m；斷裂伸長(zhǎng)率(%)：200～400；密度：1.40±0.05g/cm3。

航空航天、汽車、電子器件

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防污耐指紋表面處理劑

水接觸角（WCA）>115°；動(dòng)摩擦系數(shù)<0.03；指紋擦拭后水接觸角（WCA）>110°；鋼絲絨耐磨測(cè)試：10000次，>105°。

汽車、光學(xué)鏡頭