株洲碳化硅材料應(yīng)用基地項目招商
一、項目建設(shè)背景
碳化硅因其寬帶隙技術(shù)脫穎而出,是目前發(fā)展最成熟的半導(dǎo)體材料。與傳統(tǒng)硅基器件相比,碳化硅的擊穿場強是傳統(tǒng)硅基器件的10倍,導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍,非常適合電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機等高壓應(yīng)用。此外,碳化硅可用于制造LED,在汽車尤其是電動汽車車載充電裝置領(lǐng)域發(fā)展空間巨大。
中車株洲所的IGBT模塊成功進入智能電網(wǎng)領(lǐng)域,中車株洲所啟動技改項目,計劃建設(shè)年產(chǎn)50萬只中低壓IGBT模塊封裝線,主要用于電動汽車領(lǐng)域,為發(fā)展SiC材料應(yīng)用產(chǎn)業(yè)提供了很好的基礎(chǔ)。
二、項目前期工作
已完成前期調(diào)研工作。
三、項目建設(shè)內(nèi)容及規(guī)模
項目建設(shè)用地約500畝,計劃用 3 年時間,建成碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地和三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心。
四、項目總投資
項目擬投資25億元。
五、項目效益分析
預(yù)計項目達產(chǎn)年投資利潤率可達20%。
六、項目合作方式
獨資。
七、招商聯(lián)系電話:18610884067(微信號相同)
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