【導(dǎo)讀】

【報(bào)告描述】：

研究領(lǐng)域：電源管理IC 、MOSFET、IGBT
涉及廠商：Fairchild、ST、IR、On Semiconductor、TI等等
報(bào)告推薦
在經(jīng)歷了2010年半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)的快速上漲以后，隨著全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的不確定性以及日本311大地震的影響，2011年半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)趨緩，全球市場(chǎng)增速在4%左右，而中國(guó)市場(chǎng)的增速在10%左右。分領(lǐng)域來(lái)看，汽車(chē)電子領(lǐng)域依然是增速最快的領(lǐng)域，而筆記本、手機(jī)等產(chǎn)品產(chǎn)量的大幅增長(zhǎng)則帶動(dòng)了計(jì)算機(jī)領(lǐng)域、網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域功率器件市場(chǎng)的發(fā)展。從競(jìng)爭(zhēng)格局上看，歐美廠商依舊占據(jù)中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)地位，MOSFET而言，飛兆、威世、英飛凌、IR仍處于領(lǐng)先地位，此外，中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)和韓國(guó)企業(yè)也占有一定的市場(chǎng)份額。未來(lái)幾年，中國(guó)功率器件市場(chǎng)將保持在平穩(wěn)增長(zhǎng)，市場(chǎng)增速將保持在10%左右。
為了全面而準(zhǔn)確的反映中國(guó)功率器件市場(chǎng)地發(fā)展現(xiàn)狀以及未來(lái)趨勢(shì)，公司推出《2011-2012年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告》，將幫助業(yè)界廠商、投資者和相關(guān)政府機(jī)構(gòu)更準(zhǔn)確地把握中國(guó)功率器件市場(chǎng)的發(fā)展規(guī)律。
& 深入、翔實(shí)的市場(chǎng)研究數(shù)據(jù)?；趯?duì)行業(yè)產(chǎn)品的深度研究，提供對(duì)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、應(yīng)用結(jié)構(gòu)等多個(gè)角度的市場(chǎng)數(shù)據(jù)，明晰市場(chǎng)發(fā)展方向。
& 全面、深刻的品牌競(jìng)爭(zhēng)分析。公司從市場(chǎng)格局、競(jìng)爭(zhēng)策略、SWOT分析等多個(gè)維度分析企業(yè)，評(píng)點(diǎn)市場(chǎng)領(lǐng)先要素。
& 科學(xué)、完整的未來(lái)發(fā)展預(yù)測(cè)。建立在各重點(diǎn)細(xì)分市場(chǎng)上的建模校驗(yàn)，并與相關(guān)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)進(jìn)行關(guān)聯(lián)分析，確保給出有價(jià)值的趨勢(shì)分析與定量預(yù)測(cè)結(jié)果。

本報(bào)告全面總結(jié)了2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)的發(fā)展?fàn)顩r，全面分析了其推進(jìn)因素和市場(chǎng)特點(diǎn)，并對(duì)主要廠商進(jìn)行了客觀綜合的評(píng)價(jià)，通過(guò)大量的調(diào)研訪談和詳實(shí)準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)支撐，為客戶(hù)提供完整的中國(guó)功率器件市場(chǎng)信息，為企業(yè)提供有效的決策參考，報(bào)告主要為客戶(hù)提供了以下方面的內(nèi)容。
& 目前國(guó)內(nèi)功率器件市場(chǎng)規(guī)模及特點(diǎn)
& 按產(chǎn)品細(xì)分的功率器件市場(chǎng)情況
& 按應(yīng)用領(lǐng)域細(xì)分的功率器件市場(chǎng)情況
& 主要廠商分析
& 未來(lái)各個(gè)細(xì)分市場(chǎng)的預(yù)測(cè)

報(bào)告框架
目錄
研究對(duì)象
主要結(jié)論
重要發(fā)現(xiàn)
一、2011年全球半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)概述
(一) 市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
(二) 基本特點(diǎn)
(三) 主要國(guó)家與地區(qū)
1、美國(guó)
2、歐洲
3、日本
二、2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)概述
(一) 市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
(二) 基本特點(diǎn)
(三) 市場(chǎng)結(jié)構(gòu)分析
1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
三、2012-2014年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)
(一) 2012-2014年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
(二) 2012-2014年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)
1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
四、2012-2014年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)趨勢(shì)分析
(一) 市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)
(二) 產(chǎn)品技術(shù)趨勢(shì)
(三) 產(chǎn)品價(jià)格趨勢(shì)
五、2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)品研究
(一) MOSFET
(二) IGBT
(三) 電源管理IC
六、中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力分析
(一) 整體競(jìng)爭(zhēng)格局
(二) 重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略與SWOT分析
1、Fairchild
2、ST
3、Vishay
4、……
七、公司建議

表目錄
2007-2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)規(guī)模
2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
2011年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模
2011年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
2011年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
……

圖目錄
2007-2011年全球半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)規(guī)模
2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
2011年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
2011年中國(guó)IGBT市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
……