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【報(bào)告描述】:
內(nèi)容介紹
全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)繼2010年創(chuàng)下448.5億美元的新紀(jì)錄后,2011年總營(yíng)收較2010年更成長(zhǎng)7%,達(dá)478.6億美元,再創(chuàng)下歷史新高,其中臺(tái)灣蟬聯(lián)半導(dǎo)體材料消費(fèi)大國(guó),達(dá)100.4億美元。2011年材料市場(chǎng)總營(yíng)收創(chuàng)下佳績(jī),將市場(chǎng)區(qū)隔來(lái)看,晶圓制造及封裝材料2010年分別達(dá)到230.5億美元及218億美元,2011年則攀升至242億美元及236.7億美元,與2010年同期相比,半導(dǎo)體各類材料營(yíng)收皆呈穩(wěn)定成長(zhǎng),其中也包含貨幣匯差是成長(zhǎng)因素之一。而在地區(qū)別方面,作為全球最大晶圓制造及先進(jìn)封裝基地,臺(tái)灣持續(xù)蟬聯(lián)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)最大消費(fèi)國(guó),2011年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)達(dá)100.4億美元,而全球各地區(qū)材料市場(chǎng)也呈現(xiàn)穩(wěn)定成長(zhǎng)的態(tài)勢(shì),日本反倒微降1%,至于成長(zhǎng)幅度最大的南韓及中國(guó),主要是受晶圓制造和封裝材料需求的帶動(dòng)。
從全球來(lái)看,中國(guó)內(nèi)地的半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額在2011年年增長(zhǎng)率最高,達(dá)到12.8%,實(shí)現(xiàn)48.6億美元,在世界各國(guó)家地區(qū)排名第五,超過(guò)歐洲地區(qū)。2011年中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體材料銷售額占世界總銷售額的比例再次提升。十年來(lái),我國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)得到飛速發(fā)展,2011年我國(guó)半導(dǎo)體材料銷售額已達(dá)到了320億元,是十年前的3倍多。據(jù)估算,2011年我國(guó)半導(dǎo)體材料出口額達(dá)12.5億美元,是十年前的近8倍。其中2011年單晶硅為6.42億美元,占當(dāng)年半導(dǎo)體材料出口額的五成。
近十年來(lái),在我國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中,許多產(chǎn)品產(chǎn)量發(fā)生了從小到大的巨變。我國(guó)單晶硅從2004年年產(chǎn)40多噸增至2011年生產(chǎn)量接近15萬(wàn)噸。近兩三年,我國(guó)硅單晶生產(chǎn)設(shè)備無(wú)論在技術(shù)上還是在生產(chǎn)規(guī)模上都有明顯的進(jìn)步。到2011年底,我國(guó)已擁有能拉制6英寸以上硅單晶的直拉硅單晶爐10000臺(tái)以上,定向結(jié)晶爐數(shù)量達(dá)到3500臺(tái)以上,多線切方、切片機(jī)為10000臺(tái)以上。在上述3種半導(dǎo)體設(shè)備方面,我國(guó)已成為世界上數(shù)量最多的國(guó)家。由此也見證了我國(guó)的半導(dǎo)體用單晶硅、硅片行業(yè)由弱小變成龐大的發(fā)展事實(shí)。
近十年來(lái),半導(dǎo)體封裝材料方面表現(xiàn)更為突出。當(dāng)前,在國(guó)際上已經(jīng)擁有一定份額的市場(chǎng)占有率,在技術(shù)水平上,與歐美、日本的差距也在進(jìn)一步縮小。以IC封裝用環(huán)氧塑封料為例,到2011年底,我國(guó)生產(chǎn)EMC企業(yè)約有20~22家,其中實(shí)現(xiàn)5000噸以上產(chǎn)能的廠商有6家。國(guó)內(nèi)企業(yè)銷量達(dá)4.2萬(wàn)噸左右,國(guó)內(nèi)產(chǎn)品占國(guó)內(nèi)總需求量比例由2003年的68%上升到2011年的83%。國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)銷量已占全世界總產(chǎn)銷量的29%。我國(guó)EMC內(nèi)資企業(yè)的產(chǎn)品檔次不斷提升,從幾年前僅能封裝二極管、高頻小功率管到現(xiàn)在可以封裝大功率器件、大規(guī)模超大規(guī)模集成電路,封裝形式從僅能封裝DIP到封裝大面積DIP,以及表面封裝用SOP、QFPTQFP、PBGA等,生產(chǎn)技術(shù)水平從5μm到3、2、l、0.8、0.5、0.35、0.25μm,研制水平已達(dá)0.13~0.10μm。
盡管我國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)有了大飛躍,但在技術(shù)水平上,與國(guó)外仍存在很大差距。半導(dǎo)體材料是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要支撐,也是半導(dǎo)體制造的技術(shù)源頭。當(dāng)前,仍面臨著國(guó)外公司高端半導(dǎo)體材料的原材料封鎖和限制,生產(chǎn)高端集成電路的材料仍依靠進(jìn)口,國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的材料多為中低檔產(chǎn)品。對(duì)于我國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)來(lái)講,走出去、爭(zhēng)內(nèi)需兩方面都肩負(fù)重任。
本研究咨詢報(bào)告由公司領(lǐng)銜撰寫,主要依據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、國(guó)家發(fā)改委、國(guó)家商務(wù)部、國(guó)家工業(yè)和信息化部、國(guó)務(wù)院發(fā)展研究中心、國(guó)家海關(guān)總署、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)、國(guó)內(nèi)外相關(guān)刊物的基礎(chǔ)信息以及半導(dǎo)體材料行業(yè)研究單位等公布和提供的大量資料,結(jié)合深入的市場(chǎng)調(diào)查資料,立足于世界半導(dǎo)體材料行業(yè)整體發(fā)展大勢(shì),對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展情況、經(jīng)濟(jì)運(yùn)行數(shù)據(jù)、主要產(chǎn)品市場(chǎng)、下游半導(dǎo)體行業(yè)等進(jìn)行了分析及預(yù)測(cè),并對(duì)未來(lái)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展的整體環(huán)境及發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行探討和研判,最后在前面大量分析、預(yù)測(cè)的基礎(chǔ)上,研究了半導(dǎo)體材料行業(yè)今后的發(fā)展與投資策略,為半導(dǎo)體材料企業(yè)在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中洞察先機(jī),根據(jù)市場(chǎng)需求及時(shí)調(diào)整經(jīng)營(yíng)策略,為戰(zhàn)略投資者選擇恰當(dāng)?shù)耐顿Y時(shí)機(jī)和公司領(lǐng)導(dǎo)層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供了準(zhǔn)確的市場(chǎng)情報(bào)信息及科學(xué)的決策依據(jù),同時(shí)對(duì)銀行信貸部門也具有極大的參考價(jià)值。
報(bào)告目錄
第一部分 行業(yè)發(fā)展分析
第一章 半導(dǎo)體材料概述 1
第一節(jié) 半導(dǎo)體材料的概述 1
一、半導(dǎo)體材料的定義 1
二、半導(dǎo)體材料的分類 1
三、半導(dǎo)體材料的物理特點(diǎn) 2
四、化合物半導(dǎo)體材料介紹 2
第二節(jié) 半導(dǎo)體材料特性和制備 4
一、半導(dǎo)體材料特性和參數(shù) 4
二、半導(dǎo)體材料制備 5
第二章 世界半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 6
第一節(jié) 世界總體市場(chǎng)概況 6
一、全球半導(dǎo)體材料的進(jìn)展分析 6
二、2011年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)情況 7
三、第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵發(fā)展概況 7
四、第三代半導(dǎo)體材料GAN發(fā)展概況 8
第二節(jié) 北美半導(dǎo)體材料發(fā)展分析 11
一、2011年美國(guó)新半導(dǎo)體材料開發(fā)分析 11
二、2012年美國(guó)新半導(dǎo)體材料開發(fā)分析 13
三、2012年北美半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)情況 16
四、美國(guó)道康寧在半導(dǎo)體材料方面的研究進(jìn)展 18
第三節(jié) 挪威半導(dǎo)體材料發(fā)展分析 20
一、2012年挪威科研人員成功研制半導(dǎo)體新材料 20
二、石墨烯生長(zhǎng)砷化鎵納米線商業(yè)化淺析 21
第四節(jié) 亞洲半導(dǎo)體材料發(fā)展 22
一、日本半導(dǎo)體新材料分析 22
二、韓國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分析 22
三、臺(tái)灣半導(dǎo)體材料市場(chǎng)分析 23
四、印度半導(dǎo)體材料市場(chǎng)分析 23
第五節(jié) 世界半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì) 24
一、半導(dǎo)體材料研究的新進(jìn)展 24
二、2012年功率半導(dǎo)體采用新型材料 24
三、輝鉬材料在電子器件領(lǐng)域研究進(jìn)展 27
四、2012年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)預(yù)測(cè) 28
五、2015年世界半導(dǎo)體封裝材料發(fā)展預(yù)測(cè) 28
第三章 中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 30
第一節(jié) 行業(yè)發(fā)展概況 30
一、半導(dǎo)體材料的發(fā)展概況 30
二、半導(dǎo)體封裝材料行業(yè)分析 31
三、中國(guó)半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)分析 31
四、半導(dǎo)體材料創(chuàng)新是關(guān)鍵 34
第二節(jié) 半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展分析 36
一、第一代半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀 36
二、第二代半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀 36
三、第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀 37
四、2012年蘭州化物所金屬半導(dǎo)體異質(zhì)光催化納米材料研究獲進(jìn)展 37
五、2012年高效氮化物L(fēng)ED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)取得重要成果 39
六、2012年中科院在半導(dǎo)體光催化納米材料形貌研究獲進(jìn)展 40
第三節(jié) 半導(dǎo)體材料技術(shù)動(dòng)向及挑戰(zhàn) 40
一、銅導(dǎo)線材料 40
二、硅絕緣材料 41
三、低介電質(zhì)材料 41
四、高介電質(zhì)、應(yīng)變硅 42
五、太陽(yáng)能板 42
六、無(wú)線射頻 42
七、發(fā)光二極管 43
第四章 主要半導(dǎo)體材料發(fā)展分析 45
第一節(jié) 硅晶體 45
一、中國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程 45
二、我國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 45
三、2012年多晶硅市場(chǎng)走勢(shì)分析 46
四、2012年商務(wù)部對(duì)歐盟提起多晶硅“雙反” 47
五、2012年我國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨三重壓力 49
六、2012年中國(guó)九成以上多晶硅企業(yè)停產(chǎn) 51
七、我國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)況及策略探討 52
八、單晶硅擁有廣闊的市場(chǎng)空間 53
第二節(jié) 砷化鎵 53
一、砷化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況 53
二、砷化鎵材料發(fā)展概況 55
三、我國(guó)砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展情況分析 56
四、2012年阿爾塔以23.5%刷新砷化鎵太陽(yáng)能電池板效率 59
五、2012年云南鍺業(yè)擬使用超募資金建砷化鎵單晶材料項(xiàng)目 61
六、2012年新鄉(xiāng)神舟砷化鎵項(xiàng)目開工 61
七、2012-2017年砷化鎵增長(zhǎng)預(yù)測(cè) 61
第三節(jié) GAN 62
一、GAN材料的特性與應(yīng)用 62
二、GAN的應(yīng)用前景 67
三、GAN市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀 68
四、GAN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)投資前景 69
五、2012年基GaN藍(lán)光LED芯片陸續(xù)量產(chǎn) 71
六、2012年美國(guó)Soraa來(lái)引領(lǐng)GaN基質(zhì)研發(fā)項(xiàng)目 72
七、2012年基于氮化鎵的LED具有更低成本效益 73
八、2012年科銳公司推出兩項(xiàng)新型GaN工藝技術(shù) 74
九、2012-2013年我國(guó)GaN市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展?jié)摿μ綔y(cè) 75
十、2016年GaN LED市場(chǎng)照明份額預(yù)測(cè) 78
第四節(jié) 碳化硅 79
一、碳化硅概況 79
二、碳化硅及其應(yīng)用簡(jiǎn)述 81
三、碳化硅市場(chǎng)發(fā)展前景分析 82
四、2011年山大碳化硅晶體項(xiàng)目投資情況 83
五、2012年碳化硅產(chǎn)業(yè)化廈企開全國(guó)先河 83
六、2012年意法半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅太陽(yáng)能解決方案 84
第五節(jié) ZnO 84
一、ZnO 納米半導(dǎo)體材料概況 84
二、ZnO半導(dǎo)體材料研究取得重要進(jìn)展 85
三、ZnO半導(dǎo)體材料制備 85
第六節(jié) 輝鉬 87
一、輝鉬半導(dǎo)體材料概況 87
一、輝鉬半導(dǎo)體材料研究進(jìn)展 87
二、與晶體硅和石墨烯的比較分析 90
三、輝鉬材料未來(lái)發(fā)展前景 90
第七節(jié) 其他半導(dǎo)體材料 90
一、非晶半導(dǎo)體材料概況 90
二、寬禁帶氮化鎵材料發(fā)展概況 91
第二部分 下游半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展分析
第五章 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展分析 93
第一節(jié) 國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況 93
一、我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀 93
二、2011年全球半導(dǎo)體收入 93
三、2012年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額 94
四、2012年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)格局 95
五、2012年國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)分析 97
第二節(jié) 半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè) 102
一、2012年全球半導(dǎo)體收入預(yù)測(cè) 102
二、2013年全球半導(dǎo)體收入預(yù)測(cè) 103
三、2012-2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)預(yù)測(cè) 104
第六章 主要半導(dǎo)體市場(chǎng)分析 105
第一節(jié) LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展 105
一、全球半導(dǎo)體照明市場(chǎng)格局分析 105
二、2011-2012年全球LED照明產(chǎn)值 111
三、2012年白熾燈退市對(duì)全球LED的影響 112
四、2011年中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)及發(fā)展?fàn)顩r 113
五、2012年中國(guó)LED并購(gòu)整合已成為主旋律 116
六、2012年中國(guó)LED市場(chǎng)發(fā)展形勢(shì) 118
七、2012年國(guó)內(nèi)LED設(shè)備產(chǎn)能狀況 119
八、2012-2015年全球LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè) 121
九、“十二五”我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃 122
十、“十二五”規(guī)劃 LED照明芯片國(guó)產(chǎn)化率 123
十一、中國(guó) “十二五”末半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)規(guī)模 123
十二、“十二五”期間我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新重點(diǎn)領(lǐng)域 125
第二節(jié) 電子元器件市場(chǎng) 127
一、2011年中國(guó)電子元器件產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)及發(fā)展?fàn)顩r 127
二、2012年中國(guó)電子元器件產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)及發(fā)展?fàn)顩r 140
三、2012年中國(guó)電子元件銷售產(chǎn)值 153
四、十二五中國(guó)電子元器件發(fā)展目標(biāo) 154
五、《中國(guó)電子元件“十二五”規(guī)劃》解讀 155
第三節(jié) 集成電路 156
一、2011年全球半導(dǎo)體市場(chǎng) 156
二、2011年中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模 157
三、2012年我國(guó)集成電路發(fā)展分析 159
四、2011-2012年中國(guó)集成電路分省市產(chǎn)量數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì) 160
五、2012-2014年中國(guó)集成電路市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)分析 162
六、集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃 163
第四節(jié) 半導(dǎo)體分立器件 172
一、中國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展分析 172
二、2011年半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量分析 173
三、2012年半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量分析 174
四、2013年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)分析 175
五、2012-2015年半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)預(yù)測(cè) 176
第五節(jié) 其他半導(dǎo)體市場(chǎng) 177
一、氣體傳感器概況 177
二、IC光罩市場(chǎng)發(fā)展概況 184
第三部分 主要生產(chǎn)企業(yè)研究
第七章 半導(dǎo)體材料主要生產(chǎn)企業(yè)研究 186
第一節(jié) 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司 186
一、公司概況 186
二、2011-2012年企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況分析 186
三、2009-2012年企業(yè)財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析 187
四、2012年企業(yè)發(fā)展展望與戰(zhàn)略 190
第二節(jié) 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司 190
一、企業(yè)概況 190
二、2011-2012年企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況分析 190
三、2009-2012年企業(yè)財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析 192
四、2012年企業(yè)發(fā)展展望與戰(zhàn)略 194
第三節(jié) 峨嵋半導(dǎo)體材料廠 196
一、公司概況 196
二、公司發(fā)展規(guī)劃 197
第四節(jié) 四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司 198
一、公司概況 198
二、2012年企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況分析 198
第五節(jié) 洛陽(yáng)中硅高科技有限公司 202
一、公司概況 202
二、公司最新發(fā)展動(dòng)態(tài) 202
第六節(jié) 寧波立立電子股份有限公司 204
一、公司概況 204
二、公司產(chǎn)品及技術(shù)研發(fā) 205
第七節(jié) 寧波康強(qiáng)電子股份有限公司 205
一、企業(yè)概況 205
二、2011-2012年企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況分析 206
三、2009-2012年企業(yè)財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析 207
四、2012年企業(yè)發(fā)展展望與戰(zhàn)略 209
第八節(jié) 南京國(guó)盛電子有限公司 210
一、公司概況 210
二、工藝技術(shù)與產(chǎn)品 211
第九節(jié) 上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司 212
一、公司概況 212
二、2011-2012年企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況分析 213
三、2009-2012年企業(yè)財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析 214
四、2012年企業(yè)發(fā)展展望與戰(zhàn)略 216
第四部分 行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及投資策略
第八章 2012-2016年半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè) 220
第一節(jié) 2012-2016年半導(dǎo)體材料發(fā)展預(yù)測(cè) 220
一、2015年半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)規(guī)模 220
二、2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè) 220
三、2012-2016年半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì) 221
四、中國(guó)半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢(shì) 222
第二節(jié) 2012-2016年主要半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì) 223
一、硅材料 223
二、GaAs和InP單晶材料 225
三、半導(dǎo)體超晶格、量子阱材料 226
四、一維量子線、零維量子點(diǎn)半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料 228
五、寬帶隙半導(dǎo)體材料 229
六、光子晶體 230
七、量子比特構(gòu)建與材料 231
第三節(jié) 電力半導(dǎo)體材料技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用趨勢(shì) 231
一、電力半導(dǎo)體的材料替代 232
二、碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化 233
三、氮化鎵即將實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化 235
四、未來(lái)的氧化鎵器件 236
五、驅(qū)動(dòng)電源和電機(jī)一體化 238
第九章 2012-2016年半導(dǎo)體材料投資策略和建議 240
第一節(jié) 半導(dǎo)體材料投資市場(chǎng)分析 240
一、2012年全球半導(dǎo)體投資市場(chǎng)分析 240
二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資模式變革分析 242
三、半導(dǎo)體新材料面臨的挑戰(zhàn) 244
四、2012-2015年我國(guó)半導(dǎo)體材料投資重點(diǎn)分析 245
第二節(jié) 2012-2013年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)投資分析 245
一、2012年國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)投資態(tài)勢(shì) 245
二、2013年國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)投資預(yù)測(cè) 246
第三節(jié) 發(fā)展我國(guó)半導(dǎo)體材料的建議 246
一、半導(dǎo)體材料的戰(zhàn)略地位 246
二、我國(guó)多晶硅發(fā)展建議 247
三、我國(guó)輝鉬發(fā)展建議 249
四、我國(guó)石墨烯發(fā)展建議 250
圖表目錄
圖表:硅原子示意圖 2
圖表:2010-2011年世界半導(dǎo)體材料銷售市場(chǎng)情況 7
圖表:Si、GaAs和寬帶隙半導(dǎo)體材料的特性對(duì)比 9
圖表:兩種結(jié)構(gòu)AlN、GaN、InN的帶隙寬度和晶格常數(shù)(300K) 9
圖表:雙束流MOVPE生長(zhǎng)示意圖 11
圖表:2012年1-9月北美半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)訂單與出貨情況 17
圖表:傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝工藝設(shè)備與材料主要內(nèi)資供應(yīng)商 33
圖表:參與02專項(xiàng)的半導(dǎo)體封裝公司 34
圖表:Ag納米線Ag3PO4立方體異質(zhì)光催化材料的SEM,光生載流子分離機(jī)理及光催化性能 39
圖表:2012年8月-2012年10月多晶硅國(guó)內(nèi)生產(chǎn)者價(jià)格走勢(shì) 46
圖表:砷化鎵的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖 57
圖表 2:砷化鎵主要下游產(chǎn)品市場(chǎng) 58
圖表:砷化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點(diǎn) 59
圖表:釬鋅礦GaN和閃鋅礦GaN的特性 63
圖表1:雙氣流MOCVD生長(zhǎng)GaN裝置 65
圖表2:GaN基器件與CaAs及SiC器件的性能比較 66
圖表3:以發(fā)光效率為標(biāo)志的LED發(fā)展歷程 66
圖表:輝鉬半導(dǎo)體材料主要研發(fā)機(jī)構(gòu)及其進(jìn)展 88
圖表:?jiǎn)螌虞x鉬數(shù)字晶體管 89
圖表:輝鉬晶體芯片 89
圖表:2006-2011年我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模 113
圖表:2011年國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)量、芯片產(chǎn)量及芯片國(guó)產(chǎn)率 114
圖表:2009-2011年我國(guó)電子元器件制造業(yè)景氣指數(shù) 129
圖表:2010-2011年我國(guó)電子器件行業(yè)工業(yè)銷售產(chǎn)值及增速 129
圖表:2010-2011年我國(guó)光電子器件行業(yè)工業(yè)銷售產(chǎn)值及增速 130
圖表:2010-2011年我國(guó)電子元件行業(yè)工業(yè)銷售產(chǎn)值及增速 131
圖表:2010-2011年我國(guó)電子元器件主要下游產(chǎn)品產(chǎn)量累計(jì)增速 131
圖表:2009-2011年我國(guó)電子元件行業(yè)出口交貨值增速 132
圖表:2010-2011年主要電子器件產(chǎn)品累計(jì)產(chǎn)量增速 133
圖表:2010-2011年我國(guó)電子元件產(chǎn)量累計(jì)增速 133
圖表:2008-2011年我國(guó)電子元器件季度價(jià)格指數(shù) 134
圖表:2011年四季度我國(guó)電子元器件行業(yè)主要產(chǎn)品進(jìn)口額及增速 135
圖表:2011年四季度我國(guó)電子元器件行業(yè)主要產(chǎn)品出口額及增速 135
圖表:2011年四季度我國(guó)主要電子元器件產(chǎn)品貿(mào)易差額 136
圖表:2010-2011年我國(guó)電子元器件行業(yè)固定資產(chǎn)投資累計(jì)增速 137
圖表:2009-2011年我國(guó)電子元器件行業(yè)銷售收入增速 137
圖表:2010-2011年我國(guó)電子器件主要成本費(fèi)用增速 138
圖表:2010-2011年我國(guó)電子元件主要成本費(fèi)用增速 139
圖表:2009-2011年我國(guó)電子元器件行業(yè)利潤(rùn)總額及增速 139
圖表:2010~2011年12月我國(guó)電子元器件虧損情況 140
圖表:2010-2012年我國(guó)電子元器件制造業(yè)景氣指數(shù) 142
圖表:2010-2012年我國(guó)電子器件行業(yè)工業(yè)銷售產(chǎn)值及同比增速 143
圖表:2010-2012年我國(guó)光電子器件行業(yè)工業(yè)銷售產(chǎn)值及同比增速 143
圖表:2010-2012年我國(guó)電子元件行業(yè)工業(yè)銷售產(chǎn)值及同比增速 144
圖表:2011-2012年我國(guó)電子元器件主要下游產(chǎn)品產(chǎn)量累計(jì)增速 145
圖表:2010-2012年我國(guó)電子元器件行業(yè)出口交貨值增速 145
圖表:2011-2012年主要電子器件產(chǎn)品累計(jì)產(chǎn)量增速 146
圖表:2011-2012年我國(guó)電子元件產(chǎn)量累計(jì)增速 146
圖表:2010-2012年我國(guó)電子元器件季度價(jià)格指數(shù) 147
圖表:2012年2季度我國(guó)電子元器件行業(yè)主要產(chǎn)品進(jìn)口額及同比增速 148
圖表:2012年2季度我國(guó)電子元器件行業(yè)主要產(chǎn)品出口額及同比增速 148
圖表:2012年2季度我國(guó)主要電子元器件產(chǎn)品貿(mào)易差額 149
圖表:2011-2012年我國(guó)電子元器件行業(yè)固定資產(chǎn)投資累計(jì)同比增速 150
圖表:2010-2012年我國(guó)電子元器件行業(yè)銷售收入同比增速 150
圖表:2010-2012年我國(guó)電子器件主要成本費(fèi)用同比增速 151
圖表:2010-2012年我國(guó)電子元件主要成本費(fèi)用同比增速 152
圖表:2009-2012年我國(guó)電子元器件行業(yè)利潤(rùn)總額及同比增速 152
圖表:2011-2012年我國(guó)電子元器件行業(yè)虧損情況 153
圖表:2007-2011年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng) 157
圖表:2011年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu) 157
圖表:2007-2011年中國(guó)集成電路市場(chǎng)銷售額規(guī)模及增長(zhǎng)率 158
圖表:2011年中國(guó)集成電路市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu) 158
圖表:2011年中國(guó)集成電路市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu) 159
圖表:2011年中國(guó)集成電路市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu) 159
圖表:2009Q1——2012Q2中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額規(guī)模及增長(zhǎng) 160
圖表:2011年1-12月中國(guó)集成電路產(chǎn)量分地區(qū)統(tǒng)計(jì) 161
圖表:2012年1-9月中國(guó)集成電路分省市產(chǎn)量數(shù)據(jù)表 162
圖表:2007-2014年中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng) 163
圖表:2011年1-12月中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量分地區(qū)統(tǒng)計(jì) 173
圖表:2012年1-9月中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量分地區(qū)統(tǒng)計(jì) 174
圖表:2011年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司主營(yíng)構(gòu)成數(shù)據(jù)分析表 187
圖表:2012年上半年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司主營(yíng)構(gòu)成數(shù)據(jù)分析表 188
圖表:2009-2012年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析表 188
圖表:2009-2012年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司利潤(rùn)構(gòu)成與盈利能力分析表 188
圖表:2009-2012年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力分析表 189
圖表:2009-2012年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司發(fā)展能力分析表 189
圖表:2009-2012年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司資產(chǎn)與負(fù)債分析表 189
圖表:2011年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司主營(yíng)構(gòu)成數(shù)據(jù)分析表 192
圖表:2012年上半年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司主營(yíng)構(gòu)成數(shù)據(jù)分析表 192
圖表:2009-2012年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析表 192
圖表:2009-2012年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司利潤(rùn)構(gòu)成與盈利能力分析表 193
圖表:2009-2012年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力分析表 193
圖表:2009-2012年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司發(fā)展能力分析表 193
圖表:2009-2012年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司資產(chǎn)與負(fù)債分析表 194
圖表:東方電氣峨嵋集團(tuán)半導(dǎo)體材料有限公司組織結(jié)構(gòu) 197
圖表:2011年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司主營(yíng)構(gòu)成數(shù)據(jù)分析表 207
圖表:2012年上半年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司主營(yíng)構(gòu)成數(shù)據(jù)分析表 207
圖表:2009-2012年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析表 208
圖表:2009-2012年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司利潤(rùn)構(gòu)成與盈利能力分析表 208
圖表:2009-2012年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力分析表 208
圖表:2009-2012年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司發(fā)展能力分析表 209
圖表:2009-2012年寧波康強(qiáng)電子股份有限公司資產(chǎn)與負(fù)債分析表 209
圖表:2011年與2012年上半年上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司營(yíng)業(yè)收入構(gòu)成數(shù)據(jù)分析表 214
圖表:2011年與2012年上半年上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司營(yíng)業(yè)成本構(gòu)成數(shù)據(jù)分析表 215
圖表:2009-2012年上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析表 215
圖表:2009-2012年上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司利潤(rùn)構(gòu)成與盈利能力分析表 215
圖表:2009-2012年上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司資產(chǎn)與負(fù)債分析表 215
中商情報(bào)網(wǎng)(//www.gzshangchuan.com)是國(guó)內(nèi)專業(yè)的第三方市場(chǎng)研究機(jī)咨詢構(gòu),是中國(guó)行業(yè)市場(chǎng)研究咨詢、市場(chǎng)調(diào)研咨詢、企業(yè)上市IPO咨詢及并購(gòu)重組決策咨詢、項(xiàng)目可行性研究報(bào)告、項(xiàng)目商業(yè)計(jì)劃書、項(xiàng)目投資咨詢等綜合咨詢服務(wù)提供商。中商金融咨詢機(jī)構(gòu)擁有近十余年的投資銀行、企業(yè)IPO咨詢一體化服務(wù)、市場(chǎng)調(diào)研、細(xì)分行業(yè)研究及募投項(xiàng)目運(yùn)作經(jīng)驗(yàn)。
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