砷化鎵（gallium arsenide）是一種重要的半導(dǎo)體材料，化學(xué)式GaAs，屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。砷化鎵材料的應(yīng)用領(lǐng)域主要分為微電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域。而生產(chǎn)GaAs的原材料主要有Ga（鎵）、As（砷）、Al2O3（氧化鋁）、B2O3（氧化硼）；其中，Ga（鎵）是最為可貴的原材料。砷化鎵廣泛運(yùn)用于高頻及無(wú)線通訊(主要為超過(guò)1G Hz以上的頻率)，適于制做IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，通常應(yīng)用于激光器、無(wú)線通信、光纖通信、移動(dòng)通信、GPS全球?qū)Ш降阮I(lǐng)域。砷化鎵除在IC產(chǎn)品應(yīng)用以外，也可加入其它元素改變能帶隙及其產(chǎn)生光電反應(yīng)，達(dá)到所對(duì)應(yīng)的光波波長(zhǎng)，制作成光電元件。4G時(shí)代砷化鎵PA需求強(qiáng)勁，全球供不應(yīng)求。4G手機(jī)需支持將近40個(gè)網(wǎng)絡(luò)頻段，隨著終端支持頻段數(shù)的增加，砷化鎵PA需求數(shù)量也將從3G時(shí)代的1-2顆增長(zhǎng)為4-5顆，4G手機(jī)的普及和單手機(jī)PA數(shù)量的增加將共同造就砷化鎵的強(qiáng)勁需求，目前全球范圍來(lái)看，砷化鎵持續(xù)處于供不應(yīng)求狀態(tài)。近年來(lái)，我國(guó)GaAs產(chǎn)量總體而言呈現(xiàn)出較快增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)；強(qiáng)大的無(wú)線通信需求使砷化鎵產(chǎn)量和銷售不斷增長(zhǎng)。2015年，我國(guó)GaAs產(chǎn)量達(dá)到624噸，同比增長(zhǎng)25.12%。2015年，我國(guó)GaAs銷量達(dá)543噸，同比增長(zhǎng)25.25%，銷售額達(dá)到18.4億元。未來(lái)幾年，隨著我國(guó)光電通信等行業(yè)繼續(xù)大力發(fā)展。GaAs行業(yè)的市場(chǎng)需求潛力依然較大。預(yù)測(cè)到2021年，我國(guó)GaAs市場(chǎng)銷售額將接近65.1億元。
第一章 GaAs簡(jiǎn)介 9
第一節(jié) GaAs簡(jiǎn)介 9
一、GaAs定義 9
二、GaAs的優(yōu)點(diǎn) 9
三、GaAs的安全性 10
第二節(jié) GaAs的應(yīng)用 10
第三節(jié) GaAs、GaN、SiGe對(duì)比 12
一、GaN（氮化鎵） 12
二、SiGe（鍺硅合金） 13
三、GaAs材料與硅材料相比 14
第四節(jié) GaAs材料的制造工藝 14
一、水平布里奇曼法HB 15
（一）HB法工藝流程 15
（二）HB法的優(yōu)缺點(diǎn) 16
二、液封直拉法LEC 16
（一）LEC法工藝流程 16
（二）LEC法的優(yōu)缺點(diǎn) 18
（三）LEC法的幾個(gè)問(wèn)題 18
（四）LEC技術(shù)改進(jìn)—蒸氣控制直拉技術(shù)（VCZ） 18
三、VGF和VB法 19
四、GaAs晶體的加工及外延片的制備 21
第二章 GaAs產(chǎn)業(yè) 22
第一節(jié) GaAs產(chǎn)業(yè)鏈 22
一、GaAs產(chǎn)業(yè)鏈模型概述 22
二、上游鎵原料供應(yīng)分析 23
（一）金屬鎵的資源分布狀況 23
（二）鎵金屬產(chǎn)能/產(chǎn)量 23
三、下游應(yīng)用需求領(lǐng)域分析 24
第二節(jié) 全球GaAs供需概況 26
第三節(jié) 中國(guó)GaAs供需分析 27
一、GaAs產(chǎn)量分析 27
二、GaAs需求分析 27
三、2018-2023年GaAs市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè) 28
第四節(jié) 全球主要GaAs廠家 29
第五節(jié) 中國(guó)GaAs行業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài) 31
一、GaAs量子芯片獲新突破 31
二、三安光電進(jìn)軍GaAs產(chǎn)業(yè) 31
三、云南鍺業(yè)GaAs單晶項(xiàng)目進(jìn)入試生產(chǎn) 32
第三章 GaAs下游市場(chǎng) 33
第一節(jié) 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備市場(chǎng) 33
第二節(jié) 全球手機(jī)市場(chǎng)規(guī)模 34
一、全球手機(jī)銷售量統(tǒng)計(jì) 34
二、全球手機(jī)出貨量統(tǒng)計(jì) 36
第三節(jié) 手機(jī)品牌市場(chǎng)占有率 37
一、全球主要品牌市場(chǎng)份額 37
二、中國(guó)主要品牌市場(chǎng)份額 37
第四節(jié) 智能手機(jī)市場(chǎng)與產(chǎn)業(yè) 38
第五節(jié) 中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)發(fā)展綜述 39
一、中國(guó)手機(jī)行業(yè)的發(fā)展概況 39
二、中國(guó)手機(jī)行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀 40
三、中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)出貨量情況 40
四、中國(guó)3G手機(jī)出貨量情況 41
五、中國(guó)4G手機(jī)出貨量情況 42
六、中國(guó)手機(jī)產(chǎn)銷量情況分析 42
第六節(jié) 中國(guó)手機(jī)用戶規(guī)模分析 44
第七節(jié) 中國(guó)手機(jī)出口規(guī)模 45
一、出口數(shù)量情況 45
二、出口金額情況 45
第八節(jié) 中國(guó)手機(jī)出口地域分布 46
第九節(jié) 中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)價(jià)格分析 47
一、中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)分析 47
二、中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)價(jià)格影響因素 48
第四章 無(wú)線射頻系統(tǒng)前端分析 51
第一節(jié) 射頻同軸連接器（RF系統(tǒng)） 51
一、RF連接器簡(jiǎn)介 51
二、RF連接器的技術(shù)要求 51
三、RF連接器的基本結(jié)構(gòu) 52
四、RF連接器的連接機(jī)構(gòu) 53
第二節(jié) 手機(jī)射頻前端模塊(FEM) 54
第三節(jié) 手機(jī)濾波器 55
一、手機(jī)濾波器簡(jiǎn)介 55
二、FBAR技術(shù)與4G/LTE 55
三、FBAR技術(shù)優(yōu)勢(shì) 57
第四節(jié) TDK-EPC公司 57
第五節(jié) 手機(jī)天線開關(guān) 58
一、產(chǎn)品結(jié)構(gòu) 58
二、產(chǎn)品原理 59
三、產(chǎn)品特性 59
第六節(jié) 手機(jī)PA 59
第七節(jié)“砷化鎵”PA企業(yè)受到挑戰(zhàn) 60
第八節(jié) 高通推出Qualcomm
? RF360? 61
第九節(jié) GaAs
RF、RF Mems、CMOS RF之爭(zhēng) 62
第五章 GaAs廠家研究 63
第一節(jié) 村田制作所(Murata) 63
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 63
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 63
三、企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析 64
四、企業(yè)銷售網(wǎng)絡(luò)分析 64
五、企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)分析 65
第二節(jié) Kopin 66
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 66
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 66
三、企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析 67
第三節(jié)Qorvo 67
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 67
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 67
三、企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析 68
四、企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)分析 68
第四節(jié) 日本住友電氣工業(yè)株式會(huì)社 69
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 69
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 70
三、企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析 70
四、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析 71
第五節(jié) Freiberger
Compound Materials（弗萊貝格） 72
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 72
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 72
三、企業(yè)GaAs生產(chǎn)分析 73
第六節(jié) AXT（American
XTAL Technology） 73
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 73
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 73
三、企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析 74
四、企業(yè)在華發(fā)展?fàn)顩r 74
第七節(jié) IQE 75
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 75
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 75
三、企業(yè)技術(shù)情況分析 76
四、企業(yè)最新動(dòng)態(tài)分析 76
第八節(jié) 穩(wěn)懋半導(dǎo)體股份有限公司 77
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 77
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 77
三、企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析 78
四、企業(yè)銷售網(wǎng)絡(luò)分析 79
五、企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)分析 79
第九節(jié) 宏捷科技（AWSC） 80
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 80
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 80
三、企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析 80
四、企業(yè)研發(fā)技術(shù)狀況 81
第十節(jié) 全新光電科技股份有限公司 81
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 81
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 82
三、企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析 83
四、企業(yè)銷售網(wǎng)絡(luò)分析 84
第十一節(jié) 銳迪科公司RDA 84
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 84
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 85
三、企業(yè)銷售網(wǎng)絡(luò)分析 85
四、企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力分析 85
五、企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)分析 85
第十二節(jié) Skyworks（思佳訊） 86
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 86
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 86
三、企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析 87
四、企業(yè)最新動(dòng)態(tài)分析 87
第十三節(jié) Hittite
Microwave 88
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 88
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 88
三、企業(yè)最新動(dòng)態(tài)分析 89
第十四節(jié) TriAccess技術(shù)公司 89
一、企業(yè)簡(jiǎn)介 89
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 89
三、企業(yè)在華狀況分析 90
四、企業(yè)銷售網(wǎng)絡(luò)分析 90
第十五節(jié) 中科晶電信息材料（北京）有限公司 90
一、企業(yè)發(fā)展基本情況 90
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 91
三、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 91
四、企業(yè)生產(chǎn)能力分析 91
五、企業(yè)銷售網(wǎng)絡(luò)分析 92
第十六節(jié) 北京通美晶體技術(shù)有限公司 92
一、企業(yè)發(fā)展基本情況 92
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 93
三、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 93
四、企業(yè)銷售網(wǎng)絡(luò)分析 94
五、企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)分析 94
第十七節(jié) 山東遠(yuǎn)東高科技材料(集團(tuán))有限公司 95
一、企業(yè)發(fā)展基本情況 95
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 96
三、企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 96
四、企業(yè)銷售網(wǎng)絡(luò)分析 97
第十八節(jié) 大慶佳昌晶能信息材料有限公司 97
一、企業(yè)發(fā)展基本情況 97
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 97
三、企業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目分析 98
四、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析 98
第十九節(jié) 廣東先導(dǎo)半導(dǎo)體材料有限公司 98
一、企業(yè)發(fā)展基本情況 98
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析 99
三、企業(yè)技術(shù)情況分析 99
四、企業(yè)生產(chǎn)基地分析 100
五、企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)分析 100
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