日韩精品三级呦呦|五月丁香蜜臀|99久亚洲精品热|色婷婷五月一区

2.1　全球半導(dǎo)體市場總體分析
2.1.1　市場銷售規(guī)模
2.1.2　收入增長結(jié)構(gòu)
2.1.3　產(chǎn)業(yè)研發(fā)支出
2.1.4　市場競爭格局
2.1.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
2.2　中國半導(dǎo)體行業(yè)政策驅(qū)動因素分析
2.2.1　《中國制造2025》相關(guān)政策
2.2.2　集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策
2.2.3　集成電路企業(yè)稅收政策
2.2.4　國家產(chǎn)業(yè)基金發(fā)展支持
2.3　中國半導(dǎo)體市場運行狀況
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
2.3.2　產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模
2.3.3　區(qū)域分布情況
2.3.4　自主創(chuàng)新發(fā)展
2.3.5　發(fā)展機會分析
2.4　中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
2.4.1　產(chǎn)業(yè)技術(shù)落后
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境
2.4.3　市場壟斷困境
2.5　中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議分析
2.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略
2.5.2　產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化發(fā)展
2.5.3　加強技術(shù)創(chuàng)新
2.5.4　突破壟斷策略

3.1　功率半導(dǎo)體價值鏈分析
3.1.1　價值鏈核心環(huán)節(jié)
3.1.2　設(shè)計環(huán)節(jié)的發(fā)展價值
3.1.3　價值鏈競爭形勢分析
3.2　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體結(jié)構(gòu)
3.2.1　產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖
3.2.2　相關(guān)上市公司
3.3　功率半導(dǎo)體上游領(lǐng)域分析
3.3.1　上游材料領(lǐng)域
3.3.2　上游設(shè)備領(lǐng)域
3.3.3　重點行業(yè)分析
3.3.4　上游相關(guān)企業(yè)
3.4　功率半導(dǎo)體下游領(lǐng)域分析
3.4.1　主要應(yīng)用領(lǐng)域
3.4.2　創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域
3.4.3　下游相關(guān)企業(yè)

4.1　全球功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
4.1.1　發(fā)展驅(qū)動因素
4.1.2　市場發(fā)展規(guī)模
4.1.3　細(xì)分市場占比
4.1.4　企業(yè)競爭格局
4.1.5　應(yīng)用領(lǐng)域狀況
4.1.6　廠商擴產(chǎn)情況
4.2　中國功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
4.2.1　行業(yè)發(fā)展特點
4.2.2　市場發(fā)展規(guī)模
4.2.3　市場競爭格局
4.2.4　支持基金分布
4.2.5　企業(yè)研發(fā)狀況
4.2.6　下游應(yīng)用狀況
4.3　國內(nèi)功率半導(dǎo)體項目建設(shè)動態(tài)
4.3.1　碳化硅功率半導(dǎo)體模塊封測項目
4.3.2　揚杰功率半導(dǎo)體芯片封測項目
4.3.3　臺芯科技大功率半導(dǎo)體IGBT模塊項目
4.3.4　露笑科技第三代半導(dǎo)體項目
4.3.5　12英寸車規(guī)級功率半導(dǎo)體項目
4.3.6　富能功率半導(dǎo)體8英寸項目
4.4　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境及建議
4.4.1　行業(yè)發(fā)展困境
4.4.2　行業(yè)發(fā)展建議

5.1　MOSFET產(chǎn)業(yè)發(fā)展概述
5.1.1　MOSFET主要類型
5.1.2　MOSFET發(fā)展歷程
5.1.3　MOSFET產(chǎn)品介紹
5.2　MOSFET市場發(fā)展?fàn)顩r分析
5.2.1　行業(yè)驅(qū)動因素
5.2.2　市場發(fā)展規(guī)模
5.2.3　市場競爭格局
5.2.4　企業(yè)競爭優(yōu)勢
5.2.5　價格變動影響
5.3　MOSFET產(chǎn)業(yè)分層次發(fā)展情況分析
5.3.1　分層情況
5.3.2　低端層次
5.3.3　中端層次
5.3.4　高端層次
5.3.5　對比分析
5.4　MOSFET主要應(yīng)用領(lǐng)域分析
5.4.1　應(yīng)用領(lǐng)域介紹
5.4.2　下游行業(yè)分析
5.4.3　需求動力分析
5.5　MOSFET市場前景展望及趨勢分析
5.5.1　市場空間測算
5.5.2　長期發(fā)展趨勢

6.1　全球IGBT行業(yè)發(fā)展分析
6.1.1　行業(yè)發(fā)展歷程
6.1.2　市場發(fā)展規(guī)模
6.1.3　市場競爭格局
6.1.4　下游應(yīng)用占比
6.2　中國IGBT行業(yè)發(fā)展分析
6.2.1　市場發(fā)展規(guī)模
6.2.2　商業(yè)模式分析
6.2.3　市場競爭格局
6.2.4　企業(yè)技術(shù)布局
6.2.5　應(yīng)用領(lǐng)域分布
6.3　IGBT產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展分析
6.3.1　國際IGBT產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)分布
6.3.2　國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)分析
6.3.3　國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈配套問題
6.4　IGBT主要應(yīng)用領(lǐng)域分析
6.4.1　工業(yè)控制領(lǐng)域
6.4.2　家電領(lǐng)域應(yīng)用
6.4.3　新能源發(fā)電領(lǐng)域
6.4.4　新能源汽車
6.4.5　軌道交通
6.5　IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇及前景展望
6.5.1　國產(chǎn)發(fā)展機遇
6.5.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向
6.5.3　發(fā)展前景展望

7.1　碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體
7.1.1　產(chǎn)品優(yōu)勢分析
7.1.2　市場發(fā)展歷程
7.1.3　市場發(fā)展規(guī)模
7.1.4　企業(yè)競爭格局
7.1.5　下游市場應(yīng)用
7.1.6　產(chǎn)品技術(shù)挑戰(zhàn)
7.1.7　未來發(fā)展展望
7.2　氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體
7.2.1　產(chǎn)品優(yōu)勢分析
7.2.2　產(chǎn)業(yè)鏈條結(jié)構(gòu)
7.2.3　市場競爭格局
7.2.4　應(yīng)用領(lǐng)域分布
7.2.5　發(fā)展前景展望

8.1　功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展概況
8.1.1　技術(shù)演進方式
8.1.2　技術(shù)演變歷程
8.1.3　技術(shù)發(fā)展趨勢
8.2　國內(nèi)功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1　新型產(chǎn)品發(fā)展
8.2.2　區(qū)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.3　車規(guī)級技術(shù)發(fā)展
8.3　IGBT技術(shù)進展及挑戰(zhàn)分析
8.3.1　封裝技術(shù)分析
8.3.2　車用技術(shù)要求
8.3.3　技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
8.4　車規(guī)級IGBT的技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案
8.4.1　技術(shù)難題與挑戰(zhàn)
8.4.2　車規(guī)級IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
8.4.3　車規(guī)級IGBT技術(shù)解決方案
8.5　車規(guī)級功率器件技術(shù)發(fā)展趨勢分析
8.5.1　精細(xì)化技術(shù)
8.5.2　超結(jié)IGBT技術(shù)
8.5.3　高結(jié)溫終端技術(shù)
8.5.4　先進封裝技術(shù)
8.5.5　功能集成技術(shù)

9.1　消費電子領(lǐng)域
9.1.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)模
9.1.2　產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成效
9.1.3　應(yīng)用潛力分析
9.2　傳統(tǒng)汽車電子領(lǐng)域
9.2.1　產(chǎn)業(yè)相關(guān)概述
9.2.2　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
9.2.3　市場發(fā)展規(guī)模
9.2.4　市場競爭格局
9.2.5　應(yīng)用潛力分析
9.3　新能源汽車領(lǐng)域
9.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
9.3.2　器件應(yīng)用情況
9.3.3　應(yīng)用潛力分析
9.3.4　應(yīng)用價值對比
9.3.5　市場空間測算
9.4　工業(yè)控制領(lǐng)域
9.4.1　驅(qū)動因素分析
9.4.2　市場發(fā)展規(guī)模
9.4.3　核心領(lǐng)域發(fā)展
9.4.4　市場競爭格局
9.4.5　未來發(fā)展展望
9.5　家用電器領(lǐng)域
9.5.1　家電行業(yè)發(fā)展階段
9.5.2　家電行業(yè)運行規(guī)模
9.5.3　變頻家電應(yīng)用需求
9.5.4　變頻家電銷售數(shù)量
9.5.5　變頻家電應(yīng)用前景
9.6　其他應(yīng)用領(lǐng)域
9.6.1　物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域
9.6.2　新能源發(fā)電領(lǐng)域

10.1　英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　產(chǎn)品發(fā)展路線
10.1.3　2019財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1.4　2020財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1.5　2021財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.2　羅姆半導(dǎo)體集團（ROHM Semiconductor）
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　2019財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.2.3　2020財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.2.4　2021財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.3　安森美半導(dǎo)體（On Semiconductor）
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　2018財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.3.3　2019財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.3.4　2020財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.4　意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics N.V.）
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　2018財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.4.3　2019財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.4.4　2020財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.5　德州儀器（Texas Instruments）
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　2018年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.5.3　2019年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.5.4　2020年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.6　高通（QUALCOMM, Inc.）
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　2019財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.6.3　2020財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.6.4　2021財年企業(yè)經(jīng)營狀況分析

11.1　吉林華微電子股份有限公司
11.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.1.2　經(jīng)營效益分析
11.1.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.1.4　財務(wù)狀況分析
11.1.5　核心競爭力分析
11.1.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.1.7　未來前景展望
11.2　湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司
11.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.2.2　經(jīng)營效益分析
11.2.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.2.4　財務(wù)狀況分析
11.2.5　核心競爭力分析
11.2.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.2.7　未來前景展望
11.3　杭州士蘭微電子股份有限公司
11.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.3.2　經(jīng)營效益分析
11.3.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.3.4　財務(wù)狀況分析
11.3.5　核心競爭力分析
11.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.3.7　未來前景展望
11.4　江蘇捷捷微電子股份有限公司
11.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.4.2　經(jīng)營效益分析
11.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.4.4　財務(wù)狀況分析
11.4.5　核心競爭力分析
11.4.6　未來前景展望
11.5　揚州揚杰電子科技股份有限公司
11.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.5.2　經(jīng)營效益分析
11.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.5.4　財務(wù)狀況分析
11.5.5　核心競爭力分析
11.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.5.7　未來前景展望

12.1　超薄微功率半導(dǎo)體芯片封測項目
12.1.1　項目基本概況
12.1.2　項目實施進度
12.1.3　項目投資概算
12.1.4　項目經(jīng)濟效益
12.1.5　項目可行性分析
12.2　華潤微功率半導(dǎo)體封測基地項目
12.2.1　項目基本概況
12.2.2　項目實施規(guī)劃
12.2.3　項目投資必要性
12.2.4　項目投資可行性
12.3　功率半導(dǎo)體“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化項目
12.3.1　項目基本概況
12.3.2　項目投資概算
12.3.3　項目投資規(guī)劃
12.3.4　項目經(jīng)濟效益
12.3.5　項目投資必要性
12.3.6　項目投資可行性
12.4　嘉興斯達功率半導(dǎo)體項目
12.4.1　項目基本概況
12.4.2　項目投資計劃
12.4.3　項目投資必要性
12.4.4　項目投資可行性

13.1　功率半導(dǎo)體行業(yè)投資壁壘
13.1.1　技術(shù)壁壘
13.1.2　人才壁壘
13.1.3　資金壁壘
13.1.4　認(rèn)證壁壘
13.2　功率半導(dǎo)體行業(yè)投資風(fēng)險
13.2.1　宏觀經(jīng)濟波動風(fēng)險
13.2.2　政策導(dǎo)向變化風(fēng)險
13.2.3　中美貿(mào)易摩擦風(fēng)險
13.2.4　國際市場競爭風(fēng)險
13.2.5　技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新風(fēng)險
13.2.6　行業(yè)利潤變動風(fēng)險
13.3　功率半導(dǎo)體行業(yè)投資邏輯及建議
13.3.1　投資邏輯分析
13.3.2　投資方向建議
13.3.3　企業(yè)投資建議

14.1　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇分析
14.1.1　進口替代機遇分析
14.1.2　能效標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定機遇
14.1.3　終端應(yīng)用升級機遇
14.1.4　工業(yè)市場應(yīng)用機遇
14.1.5　汽車市場應(yīng)用機遇
14.2　功率半導(dǎo)體未來需求應(yīng)用場景
14.2.1　清潔能源行業(yè)的發(fā)展
14.2.2　新能源汽車行業(yè)的發(fā)展
14.2.3　物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的發(fā)展
14.3　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢
14.3.1　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢
14.3.2　晶圓供不應(yīng)求
14.4　 中國功率半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測分析

圖表1　半導(dǎo)體分類結(jié)構(gòu)圖
圖表2　半導(dǎo)體分類
圖表3　半導(dǎo)體分類及應(yīng)用
圖表4　功率半導(dǎo)體器件的工作范圍
圖表5　手機中功率半導(dǎo)體的應(yīng)用示意圖
圖表6　功率半導(dǎo)體性能要求
圖表7　功率半導(dǎo)體主要性能指標(biāo)
圖表8　功率半導(dǎo)體主要產(chǎn)品種類
圖表9　MOSFET結(jié)構(gòu)示意圖
圖表10　IGBT內(nèi)線結(jié)構(gòu)及簡化的等效電路圖
圖表11　全球半導(dǎo)體銷售收入及增速
圖表12　2020年全球半導(dǎo)體收入增長結(jié)構(gòu)
圖表13　全球半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)支出及預(yù)測
圖表14　2020全球半導(dǎo)體廠商銷售額TOP10
圖表15　2020年全球半導(dǎo)體前十名銷售廠商區(qū)域分布
圖表16　《中國制造2025》半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與政策支持
圖表17　IC產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點
圖表18　《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》發(fā)展目標(biāo)
圖表19　一期大基金投資各領(lǐng)域份額占比
圖表20　一期大基金投資領(lǐng)域及部分企業(yè)
圖表21　國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展階段
圖表22　國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要
圖表23　中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額及增速
圖表24　2019年全國主要省市集成電路產(chǎn)量
圖表25　2019年集成電路產(chǎn)量區(qū)域結(jié)構(gòu)圖
圖表26　2020年全國各省市集成電路產(chǎn)量排行榜
圖表27　2020年中國集成電路銷售區(qū)域分布
圖表28　功率半導(dǎo)體設(shè)計、制造、封測環(huán)節(jié)的主要作用
圖表29　提升各環(huán)節(jié)價值鏈占比的可能因素
圖表30　功率半導(dǎo)體的主要發(fā)展驅(qū)動力
圖表31　功率半導(dǎo)體廠商選擇IDM的優(yōu)勢
圖表32　功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈
圖表33　功率半導(dǎo)體相關(guān)上市公司
圖表34　我國功率半導(dǎo)體行業(yè)上游原材料構(gòu)成占比
圖表35　我國功率半導(dǎo)體行業(yè)上游設(shè)備國產(chǎn)化情況
圖表36　中國半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模
圖表37　中國各尺寸半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能結(jié)構(gòu)圖
圖表38　中國從事半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù)主要企業(yè)
圖表39　2019年全球半導(dǎo)體光刻膠市場競爭格局
圖表40　2020年全球光刻機市場競爭格局（按銷售數(shù)量）
圖表41　2020年全球光刻機市場競爭格局（按銷售金額）
圖表42　中國光刻機相關(guān)領(lǐng)先企業(yè)技術(shù)進展情況
圖表43　我國功率半導(dǎo)體行業(yè)上游相關(guān)企業(yè)情況
圖表44　2019年中國半導(dǎo)體下游應(yīng)用占比
圖表45　創(chuàng)新應(yīng)用驅(qū)動功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展
圖表46　我國功率半導(dǎo)體行業(yè)下游相關(guān)企業(yè)情況
圖表47　功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的主要驅(qū)動因素
圖表48　全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模及預(yù)測
圖表49　2019年全球功率半導(dǎo)體細(xì)分市場規(guī)模占比
圖表50　2018年全球功率分立器件及模塊主要廠商市場份額
圖表51　2019年全球功率器件主要廠商市場份額
圖表52　2019年全球功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域市場占比
圖表53　功率半導(dǎo)體廠商擴產(chǎn)情況
圖表54　中國功率半導(dǎo)體市場發(fā)展特點
圖表55　中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模及預(yù)測
圖表56　2019年中國功率半導(dǎo)體主要廠商營收
圖表57　2019年中國半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè)
圖表58　功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域期刊文獻基金分布
圖表59　中國功率半導(dǎo)體主要廠商研發(fā)支出
圖表60　國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商研發(fā)人員數(shù)量
圖表61　2019年中國半導(dǎo)體下游應(yīng)用占比
圖表62　MOSFET的分類方式
圖表63　不同類型MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域
圖表64　MOSFET的發(fā)展演進情況
圖表65　市場主流MOSFET產(chǎn)品介紹
圖表66　寬禁帶MOSTET應(yīng)用場景及性能分析
圖表67　全球MOSFET市場規(guī)模及預(yù)測
圖表68　2019年全球MOSFET市場廠商市場份額排名
圖表69　2019年中國MOSFET市場格局
圖表70　國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商的成本優(yōu)勢
圖表71　價格上漲對于MOSFET廠商的影響
圖表72　價格下跌對MOSFET廠商的影響
圖表73　功率MOSFET分層方式及其應(yīng)用情況
圖表74　低端功率MOSFET發(fā)展特點
圖表75　中端功率MOSFET發(fā)展特點
圖表76　高端功率MOSFET發(fā)展特點
圖表77　各層次功率MOSFET核心競爭力對比分析
圖表78　功率半導(dǎo)體分類維度及其對應(yīng)性能特點
圖表79　功率MOSFET主要下游行業(yè)及其代表性應(yīng)用
圖表80　數(shù)據(jù)中心功率傳輸路徑
圖表81　全球功率MOSFET市場空間測算
圖表82　汽車電子領(lǐng)域功率MOSFET特有認(rèn)證需求示意圖
圖表83　功率MOSFET市場結(jié)構(gòu)變化趨勢
圖表84　IGBT工藝技術(shù)發(fā)展史
圖表85　全球IGBT市場規(guī)模
圖表86　2019年全球IGBT分立器件主要廠商市場份額
圖表87　2019年全球IGBT模塊主要廠商市場份額
圖表88　2019年全球IPM主要廠商市場份額