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內(nèi)容概括

砷化鎵（gallium arsenide）是一種重要的半導(dǎo)體材料，化學(xué)式GaAs，屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實用階段。砷化鎵材料的應(yīng)用領(lǐng)域主要分為微電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域。而生產(chǎn)GaAs的原材料主要有Ga（鎵）、As（砷）、Al2O3（氧化鋁）、B2O3（氧化硼）；其中，Ga（鎵）是最為可貴的原材料。砷化鎵廣泛運用于高頻及無線通訊(主要為超過1G Hz以上的頻率)，適于制做IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，通常應(yīng)用于激光器、無線通信、光纖通信、移動通信、GPS全球?qū)Ш降阮I(lǐng)域。砷化鎵除在IC產(chǎn)品應(yīng)用以外，也可加入其它元素改變能帶隙及其產(chǎn)生光電反應(yīng)，達(dá)到所對應(yīng)的光波波長，制作成光電元件。砷化鎵元件是無線通訊產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵性零組件之一，隨著通訊產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，通訊元件輕、薄、短、小的趨勢下，近幾年來已成為手機(jī)及無線區(qū)域網(wǎng)路不可或缺的重要關(guān)鍵元件。雖然全球智慧型手機(jī)年出貨量已進(jìn)入低度成長，但隨著VCSEL的應(yīng)用導(dǎo)入手機(jī)及5G世代的開啟，砷化鎵元件的用量比起以前將有增無減，同時超高頻通訊的普及以及光通訊應(yīng)用的崛起對于砷化鎵元件都有強勁的需求。根據(jù)Strategy Analytics的研究報告，2018年，全球砷化鎵元件市場(含IDM廠商之組件產(chǎn)值)總產(chǎn)值約為88.7億美元，達(dá)到歷史新高，相比2017年的88.3億美元同比增長0.45%。根據(jù)Yole預(yù)計，2024-2029年，全球砷化鎵元件市場規(guī)模年均復(fù)合增長速度為10%，其中微電子領(lǐng)域為CAGR為3%，光電子領(lǐng)域CAGR為54%。到2024年，全球砷化鎵元件市場規(guī)模將達(dá)到157.1億美元。目前，中國作為電子信息制造業(yè)大國，下游應(yīng)用市場廣闊。隨著我國光電通信等行業(yè)繼續(xù)大力發(fā)展。GaAs行業(yè)的市場需求潛力依然較大，未來中國砷化鎵市場占全球比重也將不斷增加。

報告目錄

第一章 GaAs簡介

第一節(jié) GaAs簡介

一、GaAs定義
二、GaAs的優(yōu)點
三、GaAs的安全性

第二節(jié) GaAs的應(yīng)用

第三節(jié) GaAs、GaN、SiGe對比

一、GaN（氮化鎵）
二、SiGe（鍺硅合金）
三、GaAs材料與硅材料相比

第四節(jié) GaAs材料的制造工藝

一、水平布里奇曼法HB
（一）HB法工藝流程
（二）HB法的優(yōu)缺點
二、液封直拉法LEC
（一）LEC法工藝流程
（二）LEC法的優(yōu)缺點
（三）LEC法的幾個問題
（四）LEC技術(shù)改進(jìn)—蒸氣控制直拉技術(shù)（VCZ）
三、VGF和VB法
四、GaAs晶體的加工及外延片的制備

第二章 GaAs產(chǎn)業(yè)

第一節(jié) GaAs產(chǎn)業(yè)鏈

一、GaAs產(chǎn)業(yè)鏈模型概述
二、上游鎵原料供應(yīng)分析
（一）金屬鎵的資源分布狀況
（二）鎵金屬產(chǎn)能/產(chǎn)量
三、下游應(yīng)用需求領(lǐng)域分析

第二節(jié) 全球GaAs供需概況

第三節(jié) 中國GaAs供需分析

一、GaAs產(chǎn)量分析
二、GaAs需求分析
三、GaAs市場規(guī)模及預(yù)測

第四節(jié) 全球主要GaAs廠家

第三章 GaAs下游市場

第一節(jié) 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備市場

第二節(jié) 全球手機(jī)市場規(guī)模

一、全球手機(jī)銷售量統(tǒng)計
二、全球手機(jī)出貨量統(tǒng)計

第三節(jié) 手機(jī)品牌市場占有率

一、全球主要品牌市場份額
二、中國主要品牌市場份額

第四節(jié) 智能手機(jī)市場與產(chǎn)業(yè)

第五節(jié) 中國手機(jī)市場發(fā)展綜述

一、中國手機(jī)行業(yè)的發(fā)展概況
二、中國手機(jī)行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀
三、中國手機(jī)市場出貨量情況
四、中國4G手機(jī)出貨量情況
五、中國5G手機(jī)出貨量情況
六、中國手機(jī)產(chǎn)銷量情況分析

第六節(jié) 中國手機(jī)用戶規(guī)模分析

第七節(jié) 中國手機(jī)出口規(guī)模

一、出口數(shù)量情況
二、出口金額情況

第八節(jié) 中國手機(jī)出口地域分布

第九節(jié) 中國手機(jī)市場價格分析

一、中國手機(jī)市場價格波動分析
二、中國手機(jī)市場價格影響因素

第四章無線射頻系統(tǒng)前端分析

第一節(jié) 射頻同軸連接器（RF系統(tǒng)）

一、RF連接器簡介
二、RF連接器的技術(shù)要求
三、RF連接器的基本結(jié)構(gòu)
四、RF連接器的連接機(jī)構(gòu)

第二節(jié) 手機(jī)射頻前端模塊（FEM）

第三節(jié) 手機(jī)濾波器

一、手機(jī)濾波器簡介
二、FBAR技術(shù)與4G/LTE
三、FBAR技術(shù)優(yōu)勢

第四節(jié) TDK-EPC公司

第五節(jié) 手機(jī)天線開關(guān)

一、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
二、產(chǎn)品原理
三、產(chǎn)品特性

第六節(jié) 手機(jī)PA

第七節(jié)“砷化鎵”PA企業(yè)受到挑戰(zhàn)

第五章 GaAs行業(yè)重點企業(yè)分析

第一節(jié) 成都海威華芯科技有限公司

一、企業(yè)發(fā)展基本情況
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析
三、企業(yè)經(jīng)營狀況分析
四、企業(yè)銷售網(wǎng)絡(luò)布局
五、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析

第二節(jié) 三安光電股份有限公司

第三節(jié) 廈門乾照光電股份有限公司

第四節(jié) 云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

第五節(jié) 有研新材料股份有限公司

第六節(jié) 北京通美晶體技術(shù)有限公司

第七節(jié) 中科晶電信息材料（北京）股份有限公司

第八節(jié) 北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司

第九節(jié) 新鄉(xiāng)市神舟晶體科技發(fā)展有限公司

第十節(jié) 穩(wěn)懋半導(dǎo)體股份有限公司

版權(quán)聲明

?本報告所有內(nèi)容受法律保護(hù)，中華人民共和國涉外調(diào)查許可證：國統(tǒng)涉外證字第1454號。本報告由中商產(chǎn)業(yè)研究院出品，報告版權(quán)歸中商產(chǎn)業(yè)研究院所有。本報告是中商產(chǎn)業(yè)研究院的研究與統(tǒng)計成果，報告為有償提供給購買報告的客戶內(nèi)部使用。未獲得中商產(chǎn)業(yè)研究院書面授權(quán)，任何網(wǎng)站或媒體不得轉(zhuǎn)載或引用，否則中商產(chǎn)業(yè)研究院有權(quán)依法追究其法律責(zé)任。如需訂閱研究報告，請直接聯(lián)系本網(wǎng)站，以便獲得全程優(yōu)質(zhì)完善服務(wù)。本報告目錄與內(nèi)容系中商產(chǎn)業(yè)研究院原創(chuàng)，未經(jīng)本公司事先書面許可，拒絕任何方式復(fù)制、轉(zhuǎn)載。在此，我們誠意向您推薦鑒別咨詢公司實力的主要方法。