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1.1　第三代半導(dǎo)體基本介紹
1.2　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析
1.3　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成及特點(diǎn)

2.1　全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)運(yùn)行狀況
2.1.1　標(biāo)準(zhǔn)制定情況
2.1.2　國際產(chǎn)業(yè)格局
2.1.3　市場發(fā)展規(guī)模
2.1.4　市場結(jié)構(gòu)分析
2.1.5　新品研發(fā)情況
2.1.6　研發(fā)項(xiàng)目規(guī)劃
2.1.7　應(yīng)用領(lǐng)域格局
2.1.8　企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
2.1.9　企業(yè)發(fā)展布局
2.1.10　企業(yè)競爭格局
2.2　美國
2.2.1　研發(fā)支出規(guī)模
2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢
2.2.3　技術(shù)創(chuàng)新中心
2.2.4　技術(shù)研發(fā)動(dòng)向
2.2.5　戰(zhàn)略層面部署
2.3　日本
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃
2.3.2　研究成果豐碩
2.3.3　封裝技術(shù)聯(lián)盟
2.3.4　照明領(lǐng)域狀況
2.3.5　研究領(lǐng)先進(jìn)展
2.4　歐盟
2.4.1　研發(fā)項(xiàng)目歷程
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)
2.4.3　前沿企業(yè)格局
2.4.4　未來發(fā)展熱點(diǎn)

3.1　政策環(huán)境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　重點(diǎn)支持政策解讀
3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響
3.2　經(jīng)濟(jì)環(huán)境（Economic）
3.2.1　宏觀經(jīng)濟(jì)概況
3.2.2　工業(yè)運(yùn)行情況
3.2.3　經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)升級
3.2.4　未來經(jīng)濟(jì)展望
3.3　社會環(huán)境（Social）
3.3.1　社會教育水平
3.3.2　知識專利水平
3.3.3　研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入
3.3.4　技術(shù)人才儲備
3.4　技術(shù)環(huán)境（Technological）
3.4.1　專利技術(shù)構(gòu)成
3.4.2　科技計(jì)劃專項(xiàng)
3.4.3　國際技術(shù)成熟
3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟

4.1　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
4.1.1　企業(yè)以IDM模式為主
4.1.2　制備工藝不追求頂尖
4.1.3　襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)
4.1.4　各國政府高度重視發(fā)展
4.1.5　軍事用途導(dǎo)致技術(shù)禁運(yùn)
4.2　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運(yùn)行綜述
4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2　產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)值
4.2.3　產(chǎn)線產(chǎn)能規(guī)模
4.2.4　產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
4.2.5　國產(chǎn)替代狀況
4.3　中國第三代半導(dǎo)體市場運(yùn)行狀況分析
4.3.1　市場發(fā)展規(guī)模
4.3.2　細(xì)分市場結(jié)構(gòu)
4.3.3　市場應(yīng)用分布
4.3.4　企業(yè)競爭格局
4.3.5　企業(yè)發(fā)展布局
4.3.6　產(chǎn)品發(fā)展動(dòng)力
4.4　中國第三代半導(dǎo)體上游原材料市場發(fā)展分析
4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2　上游金屬硅價(jià)格走勢
4.4.3　上游氧化鋅市場現(xiàn)狀
4.4.4　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.5　上游材料競爭狀況分析
4.5　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題
4.5.2　市場推進(jìn)難題
4.5.3　技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
4.5.4　材料發(fā)展挑戰(zhàn)
4.6　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策
4.6.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議
4.6.2　建設(shè)發(fā)展聯(lián)盟
4.6.3　加強(qiáng)企業(yè)培育
4.6.4　集聚產(chǎn)業(yè)人才
4.6.5　推動(dòng)應(yīng)用示范
4.6.6　材料發(fā)展思路

5.1　GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展?fàn)顩r
5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈
5.1.2　GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術(shù)專利發(fā)展
5.1.6　技術(shù)發(fā)展趨勢
5.2　GaN材料市場發(fā)展概況分析
5.2.1　市場發(fā)展規(guī)模
5.2.2　材料價(jià)格走勢
5.2.3　材料技術(shù)水平
5.2.4　應(yīng)用市場結(jié)構(gòu)
5.2.5　應(yīng)用市場預(yù)測
5.2.6　市場競爭狀況
5.3　GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1　器件產(chǎn)品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產(chǎn)品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　器件產(chǎn)品研發(fā)
5.4　GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
5.4.1　電子電力器件應(yīng)用
5.4.2　高頻功率器件應(yīng)用
5.4.3　器件應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
5.4.4　應(yīng)用實(shí)現(xiàn)條件與對策
5.5　GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1　器件技術(shù)難題
5.5.2　電源技術(shù)瓶頸
5.5.3　風(fēng)險(xiǎn)控制建議

6.1　SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
6.1.1　SiC性能特點(diǎn)
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產(chǎn)品類型
6.1.4　單晶技術(shù)專利
6.1.5　技術(shù)發(fā)展趨勢
6.2　SiC材料市場發(fā)展概況分析
6.2.1　材料價(jià)格走勢
6.2.2　材料市場規(guī)模
6.2.3　材料技術(shù)水平
6.2.4　市場應(yīng)用結(jié)構(gòu)
6.2.5　市場競爭格局
6.2.6　企業(yè)研發(fā)布局
6.3　SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1　電力電子器件
6.3.2　功率模塊產(chǎn)品
6.3.3　器件產(chǎn)品研發(fā)
6.3.4　產(chǎn)品發(fā)展趨勢
6.4　SiC器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
6.4.1　應(yīng)用整體技術(shù)路線
6.4.2　電網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.3　電力牽引應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.4　電動(dòng)汽車應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.5　家用電器和消費(fèi)類電子應(yīng)用

7.1?、笞宓锇雽?dǎo)體材料發(fā)展分析
7.1.1　基礎(chǔ)概念介紹
7.1.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產(chǎn)品
7.1.5　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.1.6　發(fā)展建議對策
7.2　寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應(yīng)用器件
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.3.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2　材料制備工藝
7.3.3　主要技術(shù)發(fā)展
7.3.4　器件應(yīng)用發(fā)展
7.3.5　未來發(fā)展趨勢
7.4　金剛石半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.4.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2　襯底制備工藝
7.4.3　主要器件產(chǎn)品
7.4.4　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.4.5　器件研發(fā)進(jìn)展
7.4.6　未來發(fā)展前景

8.1　第三代半導(dǎo)體下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展概況
8.1.1　下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點(diǎn)
8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2　電子電力領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1　全球市場發(fā)展規(guī)模
8.2.2　國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模
8.2.3　國內(nèi)器件應(yīng)用分布
8.2.4　國內(nèi)應(yīng)用市場規(guī)模
8.2.5　器件廠商布局分析
8.2.6　器件產(chǎn)品價(jià)格走勢
8.3　微波射頻領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.3.1　射頻器件市場規(guī)模
8.3.2　射頻器件市場結(jié)構(gòu)
8.3.3　射頻器件市場需求
8.3.4　射頻器件價(jià)格走勢
8.3.5　國防基站應(yīng)用規(guī)模
8.4　半導(dǎo)體照明領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.4.1　發(fā)展政策支持
8.4.2　行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.3　產(chǎn)業(yè)鏈條產(chǎn)值
8.4.4　應(yīng)用市場分布
8.4.5　照明技術(shù)突破
8.4.6　照明發(fā)展方向
8.4.7　行業(yè)發(fā)展展望
8.5　半導(dǎo)體激光器發(fā)展?fàn)顩r
8.5.1　市場規(guī)模現(xiàn)狀
8.5.2　企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3　應(yīng)用研發(fā)現(xiàn)狀
8.5.4　主要技術(shù)分析
8.5.5　未來發(fā)展趨勢
8.6　5G新基建領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.6.1　5G建設(shè)進(jìn)程
8.6.2　應(yīng)用市場規(guī)模
8.6.3　賦能射頻產(chǎn)業(yè)
8.6.4　應(yīng)用發(fā)展方向
8.6.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
8.7　新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.7.1　行業(yè)市場規(guī)模
8.7.2　主要應(yīng)用場景
8.7.3　應(yīng)用市場規(guī)模
8.7.4　企業(yè)布局情況
8.7.5　市場需求預(yù)測

9.1　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2　重點(diǎn)區(qū)域建設(shè)
9.2　京津翼地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)扶持政策
9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目動(dòng)態(tài)
9.2.4　應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.3　中西部地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1　四川產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.2　重慶相關(guān)領(lǐng)域態(tài)勢
9.3.3　陜西產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4　珠三角地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策
9.4.2　廣州市產(chǎn)業(yè)支持
9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.4　東莞基地發(fā)展建設(shè)
9.4.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.5　華東地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　蘇州產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聚集
9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)布局動(dòng)態(tài)
9.5.4　福建產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.5.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.6　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補(bǔ)足SiC領(lǐng)域短板
9.6.3　開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
9.6.4　鼓勵(lì)地方加大投入

10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　業(yè)務(wù)布局動(dòng)態(tài)
10.1.3　經(jīng)營效益分析
10.1.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.1.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.1.6　核心競爭力分析
10.1.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.8　未來前景展望
10.2　北京賽微電子股份有限公司
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　相關(guān)業(yè)務(wù)布局
10.2.3　經(jīng)營效益分析
10.2.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.2.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.2.6　核心競爭力分析
10.2.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.8　未來前景展望
10.3　華潤微電子有限公司
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　經(jīng)營效益分析
10.3.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.3.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.3.5　核心競爭力分析
10.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.7　未來前景展望
10.4　湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　經(jīng)營效益分析
10.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.4.5　核心競爭力分析
10.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.4.7　未來前景展望
10.5　華燦光電股份有限公司
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　經(jīng)營效益分析
10.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.5.5　核心競爭力分析
10.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.7　未來前景展望
10.6　聞泰科技股份有限公司
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　經(jīng)營效益分析
10.6.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.6.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.6.5　核心競爭力分析
10.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.6.7　未來前景展望
10.7　株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司
10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2　2018年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.7.3　2019年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.7.4　2020年企業(yè)經(jīng)營狀況分析

11.1　行業(yè)投資背景
11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2　投資項(xiàng)目分布
11.1.3　投資市場周期
11.1.4　行業(yè)投資前景
11.2　行業(yè)投融資情況
11.2.1　國際投資案例
11.2.2　國內(nèi)投資案例
11.2.3　國際企業(yè)并購
11.2.4　國內(nèi)企業(yè)并購
11.2.5　企業(yè)融資動(dòng)態(tài)
11.3　行業(yè)投資壁壘
11.3.1　技術(shù)壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿(mào)易壁壘
11.4　行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
11.4.1　企業(yè)經(jīng)營風(fēng)險(xiǎn)
11.4.2　技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)
11.4.3　行業(yè)競爭風(fēng)險(xiǎn)
11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風(fēng)險(xiǎn)
11.5　行業(yè)投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場機(jī)遇
11.5.2　收購企業(yè)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破
11.5.3　關(guān)注新能源汽車催生需求
11.5.4　國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5　加強(qiáng)高校與科研院所合作
11.6　投資項(xiàng)目案例
11.6.1　項(xiàng)目基本概述
11.6.2　投資價(jià)值分析
11.6.3　建設(shè)內(nèi)容規(guī)劃
11.6.4　資金需求測算
11.6.5　實(shí)施進(jìn)度安排
11.6.6　經(jīng)濟(jì)效益分析

12.1　第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展趨勢
12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢
12.1.2　未來發(fā)展趨勢
12.1.3　應(yīng)用領(lǐng)域趨勢
12.2　第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展前景
12.2.1　重要發(fā)展窗口期
12.2.2　產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇
12.2.4　產(chǎn)業(yè)市場機(jī)遇
12.2.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3　 中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測分析
附錄
附錄一：新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策
附錄二：關(guān)于促進(jìn)中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體等前沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施

圖表1　不同半導(dǎo)體材料性能比較（一）
圖表2　不同半導(dǎo)體材料性能比較（二）
圖表3　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢
圖表4　半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表5　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)演進(jìn)示意圖
圖表6　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表7　第三代半導(dǎo)體襯底制備流程
圖表8　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖
圖表9　第三代半導(dǎo)體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表10　全球第三代半導(dǎo)體材料市場規(guī)模與增長
圖表11　2018年全球第三代半導(dǎo)體材料市場結(jié)構(gòu)
圖表12　全球在售SiC、GaN器件及模塊產(chǎn)品數(shù)量（款）
圖表13　2018年各國/組織第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)項(xiàng)目（一）
圖表14　2018年各國/組織第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)項(xiàng)目（二）
圖表15　2018年各國/組織第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)項(xiàng)目（三）
圖表16　全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局
圖表17　美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）
圖表18　美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）
圖表19　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（一）
圖表20　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（二）
圖表21　歐洲LAST POWER產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目成員
圖表22　“十三五”期間中國第三代半導(dǎo)體支持政策匯總（一）
圖表23　“十三五”期間中國第三代半導(dǎo)體支持政策匯總（二）
圖表24　2018年地方政府第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支持政策匯總（一）
圖表25　2018年地方政府第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支持政策匯總（二）
圖表26　2019年地方政府第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支持政策匯總（一）
圖表27　2019年地方政府第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支持政策匯總（二）
圖表28　《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2019版）》中第三代半導(dǎo)體相關(guān)內(nèi)容
圖表29　《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》中第三代半導(dǎo)體相關(guān)內(nèi)容
圖表30　2019年中國GDP初步核算數(shù)據(jù)
圖表31　國內(nèi)生產(chǎn)總值及增速
圖表32　三次產(chǎn)業(yè)增加值占國內(nèi)生產(chǎn)總值比重
圖表33　2020年GDP初步核算數(shù)據(jù)
圖表34　2019年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
圖表35　全部工業(yè)增加值及其增長速度
圖表36　2020年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
圖表37　普通本?？?、中等職業(yè)教育及普通高中招生人數(shù)
圖表38　2019年專利申請、授權(quán)和有效專利情況
圖表39　研究與試驗(yàn)發(fā)展（R&D）經(jīng)費(fèi)支出及其增長速度
圖表40　2020年專利申請、授權(quán)和有效專利情況
圖表41　國內(nèi)高校、研究所與企業(yè)的技術(shù)合作與轉(zhuǎn)化
圖表42　2019年第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域全球?qū)＠夹g(shù)構(gòu)成
圖表43　2018年度國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃重點(diǎn)專項(xiàng)
圖表44　2019年正在實(shí)施的第三代半導(dǎo)體國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃重點(diǎn)專項(xiàng)
圖表45　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)起單位
圖表46　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
圖表47　全球推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和技術(shù)發(fā)展的國家計(jì)劃
圖表48　《中國制造2025》第三代半導(dǎo)體相關(guān)發(fā)展目標(biāo)
圖表49　中方收購國外半導(dǎo)體企業(yè)情況
圖表50　中國GaN微波射頻產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值及增速
圖表51　中國SiC、GaN電力電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值及增速
圖表52　2019年中國主要企業(yè)SiC、GaN產(chǎn)能
圖表53　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)列表
圖表54　中國第三代半導(dǎo)體襯底材料市場規(guī)模與增長
圖表55　2019年中國第三代半導(dǎo)體襯底材料市場結(jié)構(gòu)
圖表56　2019年中國SiC、GaN電力電子器件市場應(yīng)用領(lǐng)域分布
圖表57　襯底研發(fā)重點(diǎn)企業(yè)盤點(diǎn)
圖表58　國內(nèi)部分涉及第三代半導(dǎo)體上市公司的產(chǎn)業(yè)布局情況（一）