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2.1　半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
2.1.1　第一代半導(dǎo)體材料
2.1.2　第二代半導(dǎo)體材料
2.1.3　第三代半導(dǎo)體材料
2.1.4　半導(dǎo)體材料的應(yīng)用
2.2　全球半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r
2.2.1　市場(chǎng)銷售規(guī)模
2.2.2　區(qū)域分布狀況
2.2.3　細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
2.2.4　市場(chǎng)競爭狀況
2.3　中國半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行狀況
2.3.1　應(yīng)用環(huán)節(jié)分析
2.3.2　產(chǎn)業(yè)支持政策
2.3.3　市場(chǎng)銷售規(guī)模
2.3.4　細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
2.3.5　企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
2.3.6　國產(chǎn)替代進(jìn)程
2.4　中國半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對(duì)策
2.4.1　行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2　產(chǎn)品同質(zhì)化問題
2.4.3　供應(yīng)鏈不完善
2.4.4　行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5　行業(yè)發(fā)展思路
2.5　半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
2.5.1　行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
2.5.2　行業(yè)需求分析
2.5.3　行業(yè)前景分析

3.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3　產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4　國產(chǎn)化將加速
3.2　氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
3.2.1　氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
3.2.2　氮化鎵市場(chǎng)需求狀況
3.2.3　氮化鎵廠商布局狀況
3.2.4　氮化鎵市場(chǎng)競爭格局
3.2.5　氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
3.2.6　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商
3.2.7　氮化鎵區(qū)域集聚發(fā)展
3.2.8　氮化鎵器件發(fā)展瓶頸
3.3　氮化鎵產(chǎn)業(yè)技術(shù)及研發(fā)狀況
3.3.1　產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新
3.3.2　產(chǎn)業(yè)研發(fā)進(jìn)展
3.3.3　技術(shù)專利分析

4.1　發(fā)光二極管（LED）
4.1.1　發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
4.1.2　發(fā)光二極管（LED）市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
4.1.3　發(fā)光二極管（LED）進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
4.1.4　氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程
4.1.5　氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
4.2　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）
4.2.1　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）發(fā)展概述
4.2.2　GaN　FET與硅FET的比較分析
4.2.3　GaN　FET產(chǎn)品的應(yīng)用情況
4.2.4　GaN　FET產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展
4.3　激光二極管（LD）
4.3.1　激光二極管（LD）發(fā)展概述
4.3.2　激光二極管（LD）背景技術(shù)
4.3.3　激光器進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析
4.3.4　GaN基激光器發(fā)展概況分析
4.3.5　GaN基激光器應(yīng)用狀況分析
4.3.6　GaN基激光器技術(shù)發(fā)展情況
4.3.7　GaN基激光器發(fā)展前景展望
4.4　二極管（Diodes）
4.4.1　二極管（Diodes）發(fā)展概述
4.4.2　二極管進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析
4.4.3　氮化鎵二極管技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
4.5　射頻器件（RF）
4.5.1　射頻器件（RF）發(fā)展概述
4.5.2　GaN射頻器件市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
4.5.3　GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
4.6　太陽能電池（Solar Cells）
4.6.1　中國太陽能電池進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
4.6.2　InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展概述
4.6.3　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
4.6.4　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
4.6.5　InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展展望

5.1　氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.1.1　電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
5.1.2　GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)
5.1.3　GaN電力電子器件產(chǎn)品分析
5.1.4　GaN電力電子器件分布情況
5.1.5　GaN組件商品化帶來的機(jī)遇
5.1.6　電力電子器件市場(chǎng)未來發(fā)展方向
5.2　氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.2.1　新能源行業(yè)相關(guān)政策支持
5.2.2　新能源行業(yè)整體發(fā)展形勢(shì)
5.2.3　新能源發(fā)電建設(shè)和運(yùn)行情況
5.2.4　GaN大功率器件需求潛力
5.3　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.3.1　發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義
5.3.2　智能電力設(shè)備發(fā)展分析
5.3.3　智能電力設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)
5.3.4　GaN大功率器件需求潛力
5.4　氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.4.1　通訊設(shè)備市場(chǎng)需求分析
5.4.2　通訊設(shè)備制造業(yè)運(yùn)行分析
5.4.3　GaN大功率器件需求潛力
5.5　氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
5.5.1　GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.5.2　GaN在無線基站領(lǐng)域應(yīng)用
5.5.3　GaN在紫外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
5.5.4　GaN在紅外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
5.5.5　GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
5.5.6　GaN在生物化學(xué)探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用

6.1　MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
6.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
6.1.2　企業(yè)經(jīng)營狀況
6.1.3　企業(yè)產(chǎn)品動(dòng)態(tài)
6.2　科沃（Qorvo, Inc.）
6.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
6.2.2　企業(yè)經(jīng)營狀況
6.2.3　企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
6.3　雷神科技公司（Raytheon Technologies Corp.）
6.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
6.3.2　企業(yè)經(jīng)營狀況
6.3.3　企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
6.4　恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
6.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
6.4.2　企業(yè)經(jīng)營狀況
6.4.3　企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布
6.4.4　項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
6.5　英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
6.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
6.5.2　企業(yè)經(jīng)營狀況
6.5.3　企業(yè)產(chǎn)品動(dòng)態(tài)

7.1　蘇州納維科技有限公司
7.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2　企業(yè)主營業(yè)務(wù)
7.1.3　企業(yè)發(fā)展成就
7.2　蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
7.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2　企業(yè)發(fā)展成就
7.2.3　企業(yè)項(xiàng)目進(jìn)展
7.3　東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
7.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2　企業(yè)人才隊(duì)伍
7.3.3　企業(yè)獲得榮譽(yù)
7.3.4　公司專利技術(shù)
7.3.5　企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
7.4　三安光電股份有限公司
7.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2　經(jīng)營效益分析
7.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
7.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析
7.4.5　核心競爭力分析
7.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.4.7　未來前景展望
7.5　杭州士蘭微電子股份有限公司
7.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2　經(jīng)營效益分析
7.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
7.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析
7.5.5　核心競爭力分析
7.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.5.7　未來前景展望
7.6　四川海特高新技術(shù)股份有限公司
7.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.6.2　經(jīng)營效益分析
7.6.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
7.6.4　財(cái)務(wù)狀況分析
7.6.5　核心競爭力分析
7.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.6.7　未來前景展望

8.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
8.1.1　產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會(huì)
8.1.2　企業(yè)并購案例
8.1.3　企業(yè)并購金額
8.1.4　投資擴(kuò)產(chǎn)狀況
8.1.5　區(qū)域投資分布
8.2　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
8.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
8.2.2　市場(chǎng)應(yīng)用潛力
8.2.3　市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇
8.3　 中國氮化鎵市場(chǎng)預(yù)測(cè)分析

圖表1　半導(dǎo)體發(fā)展歷程
圖表2　硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學(xué)性質(zhì)參數(shù)比較
圖表3　半導(dǎo)體材料性能比較
圖表4　砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體的作用
圖表5　纖鋅礦結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特性
圖表6　三代半導(dǎo)體材料常溫下部分性質(zhì)
圖表7　半導(dǎo)體材料的主要應(yīng)用
圖表8　全球半導(dǎo)體材料銷售額及增速
圖表9　2019年全球半導(dǎo)體材料區(qū)域市場(chǎng)變化
圖表10　全球半導(dǎo)體材料細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
圖表11　2018年全球前五大硅晶圓供應(yīng)商概況
圖表12　半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與封測(cè)環(huán)節(jié)
圖表13　2019年部分地區(qū)半導(dǎo)體材料相關(guān)布局
圖表14　中國半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模
圖表15　中國半導(dǎo)體材料細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
圖表16　國內(nèi)企業(yè)半導(dǎo)體制造材料國產(chǎn)化率
圖表17　GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)
圖表18　GaN外延用不同襯底的對(duì)比
圖表19　GaN器件主要產(chǎn)品與工藝技術(shù)
圖表20　GaN器件發(fā)展史
圖表21　第三代半導(dǎo)體國家級(jí)支持政策
圖表22　第三代半導(dǎo)體地方支持政策
圖表23　部分“十三五”重點(diǎn)研發(fā)技術(shù)
圖表24　國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要
圖表25　GaN器件適用于功率器件市場(chǎng)
圖表26　部分快充與無線充廠商產(chǎn)品布局統(tǒng)計(jì)表
圖表27　2018年國內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進(jìn)展（一）
圖表28　2018年國內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進(jìn)展（二）
圖表29　2018年8英寸Si基GaN外延片及器件研發(fā)進(jìn)展
圖表30　GaN-on-Si光電、功率和射頻應(yīng)用領(lǐng)域的關(guān)鍵專利權(quán)人
圖表31　按應(yīng)用細(xì)分的GaN-on-Si專利申請(qǐng)趨勢(shì)
圖表32　電力電子領(lǐng)域的GaN-on-Si專利領(lǐng)導(dǎo)者
圖表33　LED的生產(chǎn)流程
圖表34　LED器件按封裝形式分類
圖表35　LED器件按應(yīng)用領(lǐng)域分類
圖表36　我國LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值規(guī)模走勢(shì)圖
圖表37　我國LED產(chǎn)業(yè)細(xì)分領(lǐng)域產(chǎn)值規(guī)模走勢(shì)圖
圖表38　我國LED產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用領(lǐng)域規(guī)模統(tǒng)計(jì)圖
圖表39　我國LED產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu)變動(dòng)趨勢(shì)
圖表40　我國LED產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模增速對(duì)比
圖表41　中國LED芯片行業(yè)產(chǎn)值規(guī)模持續(xù)增長
圖表42　中國發(fā)光二極管進(jìn)出口總量
圖表43　中國發(fā)光二極管進(jìn)出口總額
圖表44　中國發(fā)光二極管進(jìn)出口（總量）結(jié)構(gòu)
圖表45　中國發(fā)光二極管進(jìn)出口（總額）結(jié)構(gòu)
圖表46　中國發(fā)光二極管貿(mào)易逆差規(guī)模
圖表47　中國發(fā)光二極管進(jìn)口區(qū)域分布
圖表48　中國發(fā)光二極管進(jìn)口市場(chǎng)集中度（分國家）
圖表49　2020年主要貿(mào)易國發(fā)光二極管進(jìn)口市場(chǎng)情況
圖表50　2021年主要貿(mào)易國發(fā)光二極管進(jìn)口市場(chǎng)情況
圖表51　中國發(fā)光二極管出口區(qū)域分布
圖表52　中國發(fā)光二極管出口市場(chǎng)集中度（分國家）
圖表53　2020年主要貿(mào)易國發(fā)光二極管出口市場(chǎng)情況
圖表54　2021年主要貿(mào)易國發(fā)光二極管出口市場(chǎng)情況
圖表55　主要省市發(fā)光二極管進(jìn)口市場(chǎng)集中度（分省市）
圖表56　2020年主要省市發(fā)光二極管進(jìn)口情況
圖表57　2021年主要省市發(fā)光二極管進(jìn)口情況
圖表58　中國發(fā)光二極管出口市場(chǎng)集中度（分省市）
圖表59　2020年主要省市發(fā)光二極管出口情況
圖表60　2021年主要省市發(fā)光二極管出口情況
圖表61　GaN FET SOA曲線示例