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2.1　半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
2.1.1　第一代半導(dǎo)體材料
2.1.2　第二代半導(dǎo)體材料
2.1.3　第三代半導(dǎo)體材料
2.1.4　半導(dǎo)體材料的應(yīng)用
2.2　2020-2022年全球半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r
2.2.1　市場(chǎng)銷售規(guī)模
2.2.2　區(qū)域分布狀況
2.2.3　細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
2.2.4　市場(chǎng)并購(gòu)動(dòng)態(tài)
2.2.5　市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)
2.3　2020-2022年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行狀況
2.3.1　應(yīng)用環(huán)節(jié)分析
2.3.2　產(chǎn)業(yè)支持政策
2.3.3　市場(chǎng)銷售規(guī)模
2.3.4　細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
2.3.5　企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
2.3.6　國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程
2.4　中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問(wèn)題及發(fā)展對(duì)策
2.4.1　行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2　產(chǎn)品同質(zhì)化問(wèn)題
2.4.3　供應(yīng)鏈不完善
2.4.4　行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5　行業(yè)發(fā)展思路
2.5　半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展前景展望
2.5.1　行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
2.5.2　行業(yè)需求分析
2.5.3　行業(yè)前景分析

3.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3　產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4　國(guó)產(chǎn)化將加速
3.2　2020-2022年氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
3.2.1　氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
3.2.2　氮化鎵市場(chǎng)需求狀況
3.2.3　氮化鎵市場(chǎng)產(chǎn)值規(guī)模
3.2.4　氮化鎵市場(chǎng)產(chǎn)能分析
3.2.5　氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
3.2.6　氮化鎵器件發(fā)展瓶頸
3.3　氮化鎵技術(shù)專利申請(qǐng)狀況
3.3.1　全球氮化鎵技術(shù)來(lái)源國(guó)分布
3.3.2　全球氮化鎵技術(shù)專利申請(qǐng)量
3.3.3　全球氮化鎵專利申請(qǐng)人分布
3.3.4　中國(guó)氮化鎵專利申請(qǐng)區(qū)域分布

4.1　2020-2022年全球氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析
4.1.1　全球氮化鎵市場(chǎng)區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)
4.1.2　全球氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
4.1.3　全球氮化鎵企業(yè)市場(chǎng)份額
4.1.4　全球氮化鎵企業(yè)布局情況
4.1.5　全球氮化鎵企業(yè)上市動(dòng)態(tài)
4.1.6　全球氮化鎵企業(yè)中國(guó)布局
4.2　2020-2022年中國(guó)氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析
4.2.1　國(guó)內(nèi)氮化鎵競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)
4.2.2　國(guó)內(nèi)氮化鎵主要企業(yè)
4.2.3　國(guó)內(nèi)氮化鎵企業(yè)產(chǎn)線
4.2.4　國(guó)內(nèi)氮化鎵廠商布局
4.3　快充市場(chǎng)氮化鎵主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布
4.3.1　氮化鎵芯片上游
4.3.2　氮化鎵制造工廠
4.3.3　氮化鎵品牌廠商
4.4　GaN器件主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布
4.4.1　GaN電力電子器件
4.4.2　GaN光電子器件

5.1　發(fā)光二極管（LED）
5.1.1　發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
5.1.2　發(fā)光二極管（LED）市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
5.1.3　發(fā)光二極管（LED）進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
5.1.4　氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程
5.1.5　氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
5.2　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）
5.2.1　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）發(fā)展概述
5.2.2　GaN　FET與硅FET的比較分析
5.2.3　GaN　FET產(chǎn)品的應(yīng)用情況
5.2.4　GaN　FET產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展
5.3　激光二極管（LD）
5.3.1　激光二極管（LD）發(fā)展概述
5.3.2　激光二極管（LD）背景技術(shù)
5.3.3　激光器進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析
5.3.4　GaN基激光器發(fā)展概況分析
5.3.5　GaN基激光器應(yīng)用狀況分析
5.3.6　GaN基激光器技術(shù)發(fā)展情況
5.3.7　GaN基激光器發(fā)展前景展望
5.4　二極管（Diodes）
5.4.1　二極管（Diodes）發(fā)展概述
5.4.2　二極管進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析
5.4.3　氮化鎵二極管技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
5.5　射頻器件（RF）
5.5.1　射頻器件（RF）發(fā)展概述
5.5.2　GaN射頻器件市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
5.5.3　GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
5.5.4　GaN射頻器件主要需求領(lǐng)域
5.6　太陽(yáng)能電池（Solar Cells）
5.6.1　2020-2022年中國(guó)太陽(yáng)能電池進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
5.6.2　InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展概述
5.6.3　InGaN/GaN量子阱太陽(yáng)能電池效率影響因素
5.6.4　InGaN/GaN量子阱太陽(yáng)能電池效率提升工藝
5.6.5　InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展展望

6.1　氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.1.1　電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
6.1.2　GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)
6.1.3　GaN電力電子器件分布情況
6.1.4　GaN基電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)
6.1.5　GaN組件商品化帶來(lái)的機(jī)遇
6.1.6　電力電子器件市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展方向
6.2　氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.2.1　新能源行業(yè)相關(guān)政策支持
6.2.2　新能源行業(yè)整體發(fā)展形勢(shì)
6.2.3　新能源發(fā)電建設(shè)和運(yùn)行情況
6.2.4　GaN大功率器件需求潛力
6.3　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.3.1　發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義
6.3.2　智能電力設(shè)備發(fā)展分析
6.3.3　智能電力設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)
6.3.4　GaN大功率器件需求潛力
6.4　氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.4.1　通訊設(shè)備市場(chǎng)需求分析
6.4.2　通訊設(shè)備制造業(yè)運(yùn)行分析
6.4.3　GaN大功率器件需求潛力
6.5　氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
6.5.1　GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.5.2　GaN在無(wú)線基站領(lǐng)域應(yīng)用
6.5.3　GaN在紫外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
6.5.4　GaN在紅外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
6.5.5　GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
6.5.6　GaN在生物化學(xué)探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用

7.1　MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
7.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2　企業(yè)產(chǎn)品動(dòng)態(tài)
7.1.3　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.1.4　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.1.5　2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.2　科沃（Qorvo, Inc.）
7.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2　企業(yè)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)
7.2.3　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.2.4　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.2.5　2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.3　雷神科技公司（Raytheon Technologies Corp.）
7.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2　企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
7.3.3　2019年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.3.4　2020年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.3.5　2021年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.4　恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
7.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2　企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布
7.4.3　項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
7.4.4　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.4.5　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.4.6　2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.5　英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
7.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2　企業(yè)產(chǎn)品動(dòng)態(tài)
7.5.3　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.5.4　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.5.5　2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

8.1　蘇州納維科技有限公司
8.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.1.2　企業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)
8.1.3　企業(yè)發(fā)展成就
8.2　蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
8.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.2.2　企業(yè)發(fā)展成就
8.2.3　企業(yè)項(xiàng)目進(jìn)展
8.3　東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
8.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.3.2　企業(yè)人才隊(duì)伍
8.3.3　企業(yè)獲得榮譽(yù)
8.3.4　公司專利技術(shù)
8.3.5　企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
8.4　三安光電股份有限公司
8.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.4.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
8.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
8.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析
8.4.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
8.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
8.4.7　未來(lái)前景展望
8.5　杭州士蘭微電子股份有限公司
8.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.5.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
8.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
8.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析
8.5.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
8.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
8.5.7　未來(lái)前景展望
8.6　四川海特高新技術(shù)股份有限公司
8.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.6.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
8.6.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
8.6.4　財(cái)務(wù)狀況分析
8.6.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
8.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
8.6.7　未來(lái)前景展望

9.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
9.1.1　產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會(huì)
9.1.2　企業(yè)并購(gòu)動(dòng)態(tài)
9.1.3　投資擴(kuò)產(chǎn)狀況
9.1.4　區(qū)域投資分布
9.2　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
9.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
9.2.2　市場(chǎng)應(yīng)用潛力
9.2.3　市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇
9.3　 2022-2026年中國(guó)氮化鎵市場(chǎng)預(yù)測(cè)分析
9.3.1　2022-2026年中國(guó)氮化鎵市場(chǎng)影響因素分析
9.3.2　2022-2026年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電力電子和射頻電子總產(chǎn)值預(yù)測(cè)
9.3.3　2022-2026年中國(guó)SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模預(yù)測(cè)
9.3.4　2022-2026年中國(guó)GaN微波射頻產(chǎn)值規(guī)模預(yù)測(cè)

圖表1　半導(dǎo)體發(fā)展歷程
圖表2　硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學(xué)性質(zhì)參數(shù)比較
圖表3　半導(dǎo)體材料性能比較
圖表4　砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體的作用
圖表5　纖鋅礦結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特性
圖表6　三代半導(dǎo)體材料常溫下部分性質(zhì)
圖表7　半導(dǎo)體材料的主要應(yīng)用
圖表8　2019-2020年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模及情況
圖表9　2019-2020年全球半導(dǎo)體材料區(qū)域市場(chǎng)變化
圖表10　2021年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)區(qū)域分布預(yù)測(cè)情況
圖表11　半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與封測(cè)環(huán)節(jié)
圖表12　2012-2020年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模
圖表13　2017-2019年中國(guó)半導(dǎo)體材料細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
圖表14　2016-2019年國(guó)內(nèi)企業(yè)半導(dǎo)體制造材料國(guó)產(chǎn)化率
圖表15　GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)
圖表16　GaN外延用不同襯底的對(duì)比
圖表17　GaN器件主要產(chǎn)品與工藝技術(shù)
圖表18　GaN器件發(fā)展史
圖表19　氮化鎵行業(yè)政策發(fā)展歷程
圖表20　國(guó)家層面氮化鎵行業(yè)政策匯總
圖表21　地方層面氮化鎵行業(yè)政策匯總（一）
圖表22　地方層面氮化鎵行業(yè)政策匯總（二）
圖表23　31省市氮化鎵行業(yè)發(fā)展目標(biāo)匯總
圖表24　國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要
圖表25　GaN器件適用于功率器件市場(chǎng)
圖表26　部分快充與無(wú)線充廠商產(chǎn)品布局統(tǒng)計(jì)表
圖表27　2016-2020年中國(guó)SiC、GaN電力電子產(chǎn)值
圖表28　2016-2020年中國(guó)GaN微波射頻產(chǎn)值
圖表29　截至2020年底中國(guó)氮化鎵（GaN）產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)
圖表30　截至2021年全球氮化鎵行業(yè)技術(shù)來(lái)源國(guó)分布情況
圖表31　2010-2021年全球氮化鎵行業(yè)技術(shù)來(lái)源國(guó)專利申請(qǐng)量
圖表32　2010-2021年全球氮化鎵專利申請(qǐng)人集中度——CR10
圖表33　2021年全球氮化鎵行業(yè)專利申請(qǐng)數(shù)量TOP10申請(qǐng)人趨勢(shì)
圖表34　截止2021年全球氮化鎵行業(yè)專利申請(qǐng)數(shù)量TOP10申請(qǐng)人
圖表35　2021年全球氮化鎵行業(yè)專利申請(qǐng)數(shù)量TOP10申請(qǐng)人技術(shù)分布情況
圖表36　截至2021年全球氮化鎵行業(yè)市場(chǎng)價(jià)值最高TOP10專利的申請(qǐng)人
圖表37　2021年全球氮化鎵行業(yè)專利申請(qǐng)新進(jìn)入者情況
圖表38　截止2021年中國(guó)當(dāng)前申請(qǐng)?。ㄊ?、自治區(qū)）氮化鎵專利數(shù)量TOP10
圖表39　2010-2021年中國(guó)氮化鎵行業(yè)專利地區(qū)申請(qǐng)趨勢(shì)