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2.1　2020-2022年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)運行狀況
2.1.1　標準制定情況
2.1.2　國際產(chǎn)業(yè)格局
2.1.3　市場發(fā)展規(guī)模
2.1.4　SiC創(chuàng)新進展
2.1.5　GaN創(chuàng)新進展
2.1.6　企業(yè)競爭格局
2.1.7　企業(yè)發(fā)展布局
2.1.8　企業(yè)合作動態(tài)
2.2　美國
2.2.1　經(jīng)費投入規(guī)模
2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢
2.2.3　技術(shù)創(chuàng)新中心
2.2.4　項目研發(fā)情況
2.2.5　項目建設(shè)動態(tài)
2.2.6　戰(zhàn)略層面部署
2.3　日本
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃
2.3.2　封裝技術(shù)聯(lián)盟
2.3.3　產(chǎn)業(yè)重視原因
2.3.4　技術(shù)領(lǐng)先狀況
2.3.5　企業(yè)發(fā)展布局
2.3.6　國際合作動態(tài)
2.4　歐盟
2.4.1　項目研發(fā)情況
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)
2.4.3　前沿企業(yè)格局
2.4.4　未來發(fā)展熱點

3.1　政策環(huán)境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　行業(yè)標準現(xiàn)行情況
3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響
3.2　經(jīng)濟環(huán)境（Economic）
3.2.1　宏觀經(jīng)濟概況
3.2.2　工業(yè)經(jīng)濟運行
3.2.3　投資結(jié)構(gòu)優(yōu)化
3.2.4　宏觀經(jīng)濟展望
3.3　社會環(huán)境（Social）
3.3.1　社會教育水平
3.3.2　知識專利水平
3.3.3　研發(fā)經(jīng)費投入
3.3.4　技術(shù)人才儲備
3.4　技術(shù)環(huán)境（Technological）
3.4.1　專利申請狀況
3.4.2　科技計劃專項
3.4.3　制造技術(shù)成熟
3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟

4.1　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點
4.1.1　數(shù)字基建打開成長空間
4.1.2　背光市場空間逐步擴大
4.1.3　襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)
4.1.4　各國政府高度重視發(fā)展
4.1.5　產(chǎn)業(yè)鏈向國內(nèi)轉(zhuǎn)移明顯
4.2　2020-2022年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運行綜述
4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2　產(chǎn)能項目規(guī)模
4.2.3　產(chǎn)業(yè)標準規(guī)范
4.2.4　國產(chǎn)替代狀況
4.2.5　行業(yè)發(fā)展空間
4.3　2020-2022年中國第三代半導(dǎo)體市場運行狀況分析
4.3.1　市場發(fā)展規(guī)模
4.3.2　細分市場規(guī)模
4.3.3　市場應(yīng)用分布
4.3.4　企業(yè)競爭格局
4.3.5　產(chǎn)品發(fā)展動力
4.4　2020-2022年中國第三代半導(dǎo)體上游原材料市場發(fā)展分析
4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2　上游金屬硅價格走勢
4.4.3　上游氧化鋅市場現(xiàn)狀
4.4.4　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.5　上游材料競爭狀況分析
4.5　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題
4.5.2　市場推進難題
4.5.3　技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
4.5.4　材料發(fā)展挑戰(zhàn)
4.6　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策
4.6.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議
4.6.2　建設(shè)發(fā)展聯(lián)盟
4.6.3　加強企業(yè)培育
4.6.4　集聚產(chǎn)業(yè)人才
4.6.5　推動應(yīng)用示范
4.6.6　材料發(fā)展思路

5.1　GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展狀況
5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈條
5.1.2　GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術(shù)專利情況
5.1.6　技術(shù)發(fā)展趨勢
5.2　GaN材料市場發(fā)展概況分析
5.2.1　市場供給情況
5.2.2　材料價格走勢
5.2.3　材料技術(shù)水平
5.2.4　應(yīng)用市場結(jié)構(gòu)
5.2.5　應(yīng)用市場預(yù)測
5.2.6　市場競爭狀況
5.3　GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1　器件產(chǎn)品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產(chǎn)品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　光電子器件
5.4　GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
5.4.1　電子電力器件應(yīng)用
5.4.2　高頻功率器件應(yīng)用
5.4.3　應(yīng)用實現(xiàn)條件與對策
5.5　GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1　器件技術(shù)難題
5.5.2　電源技術(shù)瓶頸
5.5.3　風(fēng)險控制建議

6.1　SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展狀況
6.1.1　SiC性能特點
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產(chǎn)品類型
6.1.4　單晶技術(shù)專利
6.1.5　技術(shù)發(fā)展路線
6.2　SiC材料市場發(fā)展概況分析
6.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展階段
6.2.2　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
6.2.3　材料價格走勢
6.2.4　材料市場規(guī)模
6.2.5　材料技術(shù)水平
6.2.6　市場應(yīng)用情況
6.2.7　企業(yè)競爭格局
6.3　SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1　電力電子器件
6.3.2　功率模塊產(chǎn)品
6.3.3　器件產(chǎn)品布局
6.3.4　產(chǎn)品發(fā)展趨勢
6.4　SiC器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
6.4.1　應(yīng)用整體技術(shù)路線
6.4.2　電網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.3　電力牽引應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.4　電動汽車應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.5　家用電器和消費類電子應(yīng)用

7.1?、笞宓锇雽?dǎo)體材料發(fā)展分析
7.1.1　基礎(chǔ)概念介紹
7.1.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產(chǎn)品
7.1.5　應(yīng)用發(fā)展狀況
7.1.6　發(fā)展建議對策
7.2　寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應(yīng)用器件
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.3.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2　材料應(yīng)用優(yōu)勢
7.3.3　材料國外進展
7.3.4　國內(nèi)研究成果
7.3.5　器件應(yīng)用發(fā)展
7.3.6　未來發(fā)展前景
7.4　金剛石半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.4.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2　材料研究背景
7.4.3　材料發(fā)展特點
7.4.4　主要器件產(chǎn)品
7.4.5　應(yīng)用發(fā)展狀況
7.4.6　國產(chǎn)替代機遇
7.4.7　材料發(fā)展難點

8.1　第三代半導(dǎo)體下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展概況
8.1.1　下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點
8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2　2020-2022年電子電力領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.2.1　全球市場發(fā)展規(guī)模
8.2.2　國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模
8.2.3　國內(nèi)器件應(yīng)用分布
8.2.4　國內(nèi)應(yīng)用市場規(guī)模
8.2.5　器件廠商布局分析
8.2.6　器件產(chǎn)品價格走勢
8.3　2020-2022年微波射頻領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.3.1　射頻器件市場規(guī)模
8.3.2　射頻器件市場結(jié)構(gòu)
8.3.3　射頻器件市場需求
8.3.4　國防基站應(yīng)用規(guī)模
8.3.5　射頻器件發(fā)展趨勢
8.4　2020-2022年半導(dǎo)體照明領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.4.1　發(fā)展政策支持
8.4.2　行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.3　產(chǎn)業(yè)鏈分析
8.4.4　應(yīng)用市場分布
8.4.5　技術(shù)發(fā)展方向
8.4.6　行業(yè)發(fā)展展望
8.5　2020-2022年半導(dǎo)體激光器發(fā)展狀況
8.5.1　市場規(guī)?，F(xiàn)狀
8.5.2　企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3　應(yīng)用研發(fā)現(xiàn)狀
8.5.4　主要技術(shù)分析
8.5.5　國產(chǎn)化趨勢
8.6　2020-2022年5G新基建領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.6.1　5G建設(shè)進程
8.6.2　應(yīng)用市場規(guī)模
8.6.3　基站需求規(guī)模
8.6.4　應(yīng)用發(fā)展方向
8.6.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
8.7　2020-2022年新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.7.1　行業(yè)市場規(guī)模
8.7.2　主要應(yīng)用場景
8.7.3　企業(yè)布局情況
8.7.4　市場應(yīng)用空間
8.7.5　市場需求預(yù)測

9.1　2020-2022年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2　區(qū)域建設(shè)回顧
9.2　京津翼地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)扶持政策
9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.4　應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.3　中西部地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1　成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.3.2　重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.3.3　西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4　珠三角地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策
9.4.2　廣州市產(chǎn)業(yè)支持
9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4.4　東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.5　華東地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)展
9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
9.5.4　廈門產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.5.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.6　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補足SiC領(lǐng)域短板
9.6.3　開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
9.6.4　鼓勵地方加大投入

10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　業(yè)務(wù)布局動態(tài)
10.1.3　經(jīng)營效益分析
10.1.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.1.5　財務(wù)狀況分析
10.1.6　核心競爭力分析
10.1.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.8　未來前景展望
10.2　北京賽微電子股份有限公司
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　相關(guān)業(yè)務(wù)布局
10.2.3　經(jīng)營效益分析
10.2.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.2.5　財務(wù)狀況分析
10.2.6　核心競爭力分析
10.2.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.8　未來前景展望
10.3　廈門乾照光電股份有限公司
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　經(jīng)營效益分析
10.3.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.3.4　財務(wù)狀況分析
10.3.5　核心競爭力分析
10.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.7　未來前景展望
10.4　湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　經(jīng)營效益分析
10.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.4.4　財務(wù)狀況分析
10.4.5　核心競爭力分析
10.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.4.7　未來前景展望
10.5　華燦光電股份有限公司
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　經(jīng)營效益分析
10.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.5.4　財務(wù)狀況分析
10.5.5　核心競爭力分析
10.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.7　未來前景展望
10.6　聞泰科技股份有限公司
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　經(jīng)營效益分析
10.6.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.6.4　財務(wù)狀況分析
10.6.5　核心競爭力分析
10.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.6.7　未來前景展望
10.7　株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2　經(jīng)營效益分析
10.7.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.7.4　財務(wù)狀況分析
10.7.5　核心競爭力分析
10.7.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.7.7　未來前景展望

11.1　行業(yè)投資背景
11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2　投資市場周期
11.1.3　行業(yè)投資前景
11.2　行業(yè)投融資情況
11.2.1　國際投資案例
11.2.2　國內(nèi)投資項目
11.2.3　國際企業(yè)并購
11.2.4　國內(nèi)企業(yè)并購
11.2.5　企業(yè)融資動態(tài)
11.3　行業(yè)投資壁壘
11.3.1　技術(shù)壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿(mào)易壁壘
11.4　行業(yè)投資風(fēng)險
11.4.1　企業(yè)經(jīng)營風(fēng)險
11.4.2　技術(shù)迭代風(fēng)險
11.4.3　行業(yè)競爭風(fēng)險
11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風(fēng)險
11.5　行業(yè)投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2　收購企業(yè)實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破
11.5.3　關(guān)注新能源汽車催生需求
11.5.4　國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5　加強高校與科研院所合作
11.6　投資項目案例
11.6.1　項目基本概述
11.6.2　項目建設(shè)必要性
11.6.3　項目建設(shè)可行性
11.6.4　項目資金概算
11.6.5　項目經(jīng)濟效益

12.1　第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展趨勢
12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢
12.1.2　未來發(fā)展趨勢
12.1.3　應(yīng)用領(lǐng)域趨勢
12.2　第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展前景
12.2.1　重要發(fā)展窗口期
12.2.2　產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇
12.2.4　產(chǎn)業(yè)市場機遇
12.2.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3　2023-2028年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測分析
12.3.1　2023-2028年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)影響因素分析
12.3.2　2023-2028年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預(yù)測
附錄
附錄一：新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策
附錄二：關(guān)于促進中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體等前沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施

圖表1　第三代半導(dǎo)體特點
圖表2　第三代半導(dǎo)體主要材料
圖表3　不同半導(dǎo)體材料性能比較（一）
圖表4　不同半導(dǎo)體材料性能比較（二）
圖表5　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢
圖表6　半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表7　半導(dǎo)體材料頻率和功率特性對比
圖表8　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)演進示意圖
圖表9　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表10　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表11　第三代半導(dǎo)體襯底制備流程
圖表12　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜
圖表13　第三代半導(dǎo)體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表14　國際電工委員會（IEC）第三代半導(dǎo)體標準
圖表15　固態(tài)技術(shù)標準協(xié)會（JEDEC）第三代半導(dǎo)體標準
圖表16　國際部分汽車電子標準
圖表17　2018-2020年RF GaN HEMT和Si LDMOS平均價格
圖表18　1990-2020年國外SiC技術(shù)進展
圖表19　國際上已經(jīng)商業(yè)化的SiC SBD的器件性能
圖表20　2020年國際企業(yè)新推出的SiC MOSFET產(chǎn)品
圖表21　國際已經(jīng)商業(yè)化的SiC晶體管器件性能
圖表22　2020年國際企業(yè)新推出的SiC功率模塊產(chǎn)品
圖表23　國際上已經(jīng)商業(yè)化的GaN電力電子器件性能
圖表24　國際上商業(yè)化的GaN射頻產(chǎn)品性能
圖表25　2020年國際企業(yè)推出的GaN射頻產(chǎn)品
圖表26　國際主要三代半上市企業(yè)最新業(yè)績
圖表27　2022年第三代半導(dǎo)體國際相關(guān)企業(yè)動向
圖表28　2022年國際部分企業(yè)第三代半導(dǎo)體相關(guān)擴產(chǎn)項目
圖表29　2020年主要第三代半導(dǎo)體企業(yè)合作動態(tài)
圖表30　美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）
圖表31　美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）
圖表32　2020年美國設(shè)立的部分第三代半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)項目
圖表33　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（一）
圖表34　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（二）
圖表35　2020年歐盟和英國設(shè)立的部分第三代半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)項目
圖表36　歐洲LAST POWER產(chǎn)學(xué)研項目成員
圖表37　《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》中第三代半導(dǎo)體相關(guān)內(nèi)容
圖表38　2019-2021年國家層面第三代半導(dǎo)體支持政策匯總
圖表39　2022年第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策的分布情況
圖表40　2022年第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域地方政府部分政策法規(guī)列表
圖表41　中國第三代半導(dǎo)體現(xiàn)行國家標準和行業(yè)標準
圖表42　CASA聯(lián)盟第三代半導(dǎo)體團體標準
圖表43　2017-2021年中國生產(chǎn)總值及其增長速度
圖表44　2017-2021年中國三次產(chǎn)業(yè)增加值占國內(nèi)生產(chǎn)總值比重
圖表45　2022年二季度和上半年GDP初步核算數(shù)據(jù)
圖表46　2017-2021年全部工業(yè)增加值及其增長速度
圖表47　2021年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
圖表48　2021-2022年中國規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增長速度